高中化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 課時(shí)跟蹤檢測(cè)1-43（打包43套） 魯教版.zip
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課時(shí)跟蹤檢測(cè)（四十一）原子結(jié)構(gòu)
1．(2016·紹興模擬)下列有關(guān)化學(xué)用語(yǔ)正確的是( )
A．某元素基態(tài)原子的電子排布圖
B．NH4Cl電子式為
C．Ca2＋基態(tài)電子排布式為1s22s22p63s23p6
D．F原子的結(jié)構(gòu)示意圖：
解析：選C A中電子排布圖應(yīng)為 ，錯(cuò)誤；B中電子式為
，錯(cuò)誤；D中結(jié)構(gòu)示意圖應(yīng)為 ，錯(cuò)誤。
2．下列關(guān)于價(jià)電子構(gòu)型為4s24p4的原子的描述正確的是( )
A．其電子排布式為1s22s22p63s23p64s23d104p4
B．其價(jià)電子排布圖為
C．其4p軌道電子排布圖為
D．其電子排布式可以簡(jiǎn)化為[Ar]3d104s24p4
解析：選D A項(xiàng)，其基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4，錯(cuò)誤；B項(xiàng)，違反了洪特規(guī)則，錯(cuò)誤；C項(xiàng)，違反了泡利原理，錯(cuò)誤；D正確。
3．(2016·沈陽(yáng)模擬)下列各組原子中，彼此化學(xué)性質(zhì)一定相似的是( )
A．原子核外電子排布式為1s2的X原子與原子核外電子排布式為1s22s2的Y原子
B．原子核外M層上僅有兩個(gè)電子的X原子與原子核外N層上僅有兩個(gè)電子的Y原子
C．2p軌道上只有2個(gè)電子的X原子與3p軌道上只有2個(gè)電子的Y原子
D．最外層都只有一個(gè)電子的X、Y原子
解析：選C 原子核外電子排布式為1s2的X原子是He，原子核外電子排布式為1s22s2的Y原子是Be，二者的性質(zhì)不同，A錯(cuò)誤；原子核外M層上僅有兩個(gè)電子的X原子是Mg，原子核外N層上僅有兩個(gè)電子的Y原子不一定是Ca，還可以為副族元素，二者的性質(zhì)不一定相似，B錯(cuò)誤；2p軌道上只有2個(gè)電子的X原子與3p軌道上只有2個(gè)電子的Y原子分別是第ⅣA族的C和Si，性質(zhì)相似，C正確；最外層都只有一個(gè)電子的X、Y原子可以是H和Na等，性質(zhì)不同，D錯(cuò)誤。
4．(2016·衡水模擬)下列有關(guān)電子排布圖的表述正確的是( )
A． 可表示單核10電子粒子基態(tài)時(shí)電子排布
B． 此圖錯(cuò)誤，違背了泡利原理
C. 表示基態(tài)N原子的價(jià)電子排布
D． 表示處于激發(fā)態(tài)的B的電子排布圖
解析：選A A．單核10電子粒子基態(tài)時(shí)電子排布式為1s22s22p6，每個(gè)軌道內(nèi)排布2個(gè)電子，自旋方向相反，正確；B.此圖違背了洪特規(guī)則，錯(cuò)誤；C.正確的價(jià)電子排布圖為
，錯(cuò)誤；D.該電子排布圖中的電子沒(méi)有激發(fā)躍遷到能量更高的軌道上，錯(cuò)誤。
5．下列關(guān)于電離能和電負(fù)性的說(shuō)法不正確的是( )
A．第一電離能的大?。篗g>Al
B．鍺的第一電離能高于碳而電負(fù)性低于碳
C．Ni是元素周期表中第28號(hào)元素，第二周期基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與Ni相同且電負(fù)性最小的元素是碳
D．F、K、Fe、Ni四種元素中電負(fù)性最大的是F
解析：選B 同周期從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，但第ⅡA族的第一電離能比相鄰的第ⅢA族元素的第一電離能大，A正確； 鍺是金屬元素而碳是非金屬元素，第一電離能低于碳，B不正確；Ni的價(jià)電子排布為3d84s2，未成對(duì)電子數(shù)為2，第二周期未成對(duì)電子數(shù)為2的元素有碳和氧，同周期從左到右電負(fù)性逐漸增大，則電負(fù)性CO，Mg>Al，A、B不正確；F的電負(fù)性最大，沒(méi)有正化合價(jià)，C不正確。
9．(2016·黃岡模擬)以下有關(guān)元素性質(zhì)的說(shuō)法不正確的是( )
A．具有下列電子排布式的原子中：①1s22s22p63s23p2，②1s22s22p3，③1s22s22p2，④1s22s22p63s23p4，原子半徑最大的是①
B．具有下列價(jià)電子排布式的原子中：①3s23p1，②3s23p2，③3s23p3，④3s23p4，第一電離能最大的是③
C．①Na、K、Rb，②N、P、As，③O、S、Se，④Na、P、Cl中，元素的電負(fù)性隨原子序數(shù)增大而遞增的是④
D．某元素氣態(tài)基態(tài)原子的逐級(jí)電離能分別為738、1 451、7 733、10 540、13 630、17 995、21 703，當(dāng)它與氯氣反應(yīng)時(shí)可能生成的陽(yáng)離子是X3＋
解析：選D A項(xiàng)，①為Si，②為N，③為C，④為S，原子半徑最大的為Si，正確；B項(xiàng)，①為Al，②為Si，③為P，④為S，第一電離能最大的為P，正確；C項(xiàng)，同一主族元素，電負(fù)性從上到下逐漸減小；同一周期元素，電負(fù)性呈增大趨勢(shì)，正確；D項(xiàng)，根據(jù)各級(jí)電離能變化趨勢(shì)，基態(tài)原子的最外層應(yīng)有2個(gè)電子，所以與Cl2反應(yīng)時(shí)應(yīng)呈＋2價(jià)，D錯(cuò)。
10．(2013·上海高考)X、Y、Z、W是短周期元素，X元素原子的最外層未達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，工業(yè)上通過(guò)分離液態(tài)空氣獲得其單質(zhì)；Y元素原子最外電子層上s、p電子數(shù)相等；Z元素＋2價(jià)陽(yáng)離子的核外電子排布與氖原子相同；W元素原子的M層有1個(gè)未成對(duì)的p電子。下列有關(guān)這些元素性質(zhì)的說(shuō)法一定正確的是( )
A．X元素的氫化物的水溶液顯堿性
B．Z元素的離子半徑大于W元素的離子半徑
C．Z元素的單質(zhì)在一定條件下能與X元素的單質(zhì)反應(yīng)
D．Y元素最高價(jià)氧化物的晶體具有很高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)
解析：選C 根據(jù)題意，Z為Mg元素，Y原子最外層電子排布為ns2np2，是C或Si元素，X為N或O元素，W為Al或Cl元素，N的氫化物的水溶液顯堿性，但O的氫化物的水溶液顯中性或弱酸性，A錯(cuò)誤；Al3＋的半徑比Mg2＋小，Cl－半徑比Mg2＋大，B錯(cuò)誤；氮?dú)狻⒀鯕饩芘c鎂反應(yīng)，C正確；CO2形成的晶體熔沸點(diǎn)低，D錯(cuò)誤。
11．A、B、C、D、E、F為原子序數(shù)依次增大的六種元素，其中A、B、C、D、E為短周期元素，F(xiàn)為第四周期元素，F(xiàn)還是前四周期中電負(fù)性最小的元素。
已知：A原子的核外電子數(shù)與電子層數(shù)相等；B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個(gè)；C原子的第一至第四電離能為I1＝738 kJ·mol－1，I2＝1 451 kJ·mol－1，I3＝7 733 kJ·mol－1，I4＝10 540 kJ·mol－1；D原子核外所有p軌道為全充滿或半充滿；E元素的族序數(shù)與周期序數(shù)的差為4。
(1)寫(xiě)出E元素在周期表中位置：________；D元素的原子的核外電子排布式：________________________________________________________________________。
(2)某同學(xué)根據(jù)題目信息和掌握的知識(shí)分析C的核外電子排布為
。該同學(xué)所畫(huà)的軌道式違背了________。
(3)已知BA5為離子化合物，寫(xiě)出其電子式：________。
(4)DE3中心原子雜化方式為_(kāi)___________，其空間構(gòu)型為_(kāi)___________。
解析：(1)由題意分析知F為K，A為H，B為N；由電離能知C的常見(jiàn)化合價(jià)為＋2價(jià)，為Mg，D為P，E為Cl。(2)原子的核外電子分能級(jí)排布，按構(gòu)造原理先排能量低的能級(jí)，再排能量高的能級(jí)，遵循能量最低原理時(shí)，該原子才最穩(wěn)定。該同學(xué)未排滿3s能級(jí)就排3p能級(jí)，違背了能量最低原理。(3)NH5為離子化合物，則為銨鹽，存在NH和H－。
(4)PCl3中心原子P上的價(jià)層電子對(duì)＝3＋(5－3×1)＝4，雜化類(lèi)型為sp3雜化；存在一個(gè)孤電子對(duì)，故分子構(gòu)型為三角錐形。
答案：(1)第三周期ⅦA族 1s22s22p63s23p3 (2)能量最低原理 (3)
(4)sp3 三角錐形
12．(1)(2015·安徽高考·節(jié)選)C、N、O、Al、Si、Cu是常見(jiàn)的六種元素。
①Si位于元素周期表第________周期第________族。
②N的基態(tài)原子核外電子排布式為_(kāi)_______；Cu的基態(tài)原子最外層有________個(gè)電子。
③用“＞”或“＜”填空：
原子半徑
電負(fù)性
熔點(diǎn)
沸點(diǎn)
Al____Si
N____O
金剛石____晶體硅
CH4____SiH4
(2)(2013·浙江高考·節(jié)選)①N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：
電離能
I1
I2
I3
I4
……
In/(kJ·mol－1)
578
1 817
2 745
11 578
……
則該元素是________(填寫(xiě)元素符號(hào))。
②基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是________。Ge的最高價(jià)氯化物的分子式是________。
③Ge元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有________。
A．是一種活潑的金屬元素
B．其電負(fù)性大于硫
C．其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料
D．其最高價(jià)氯化物的沸點(diǎn)低于其溴化物的沸點(diǎn)
解析：(1)①Si是14號(hào)元素，位于元素周期表中第三周期第ⅣA族。②N是7號(hào)元素，其基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p3；Cu是29號(hào)元素，其基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，故最外層有1個(gè)電子。③同周期元素，原子序數(shù)越大，原子半徑越小，故原子半徑：
Al＞Si；同周期元素，原子序數(shù)越大，電負(fù)性越強(qiáng)，故電負(fù)性：N＜O；金剛石和晶體硅都是原子晶體，但鍵能：CC＞SiSi，故熔點(diǎn)：金剛石＞晶體硅；CH4和SiH4都是分子晶體，且兩者結(jié)構(gòu)相似，SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量大，故沸點(diǎn)：CH4＜SiH4。
(2)①由電離能數(shù)據(jù)可知，該元素呈＋3價(jià)。②Ge的最高正價(jià)為＋4價(jià)。③Ge位于金屬和非金屬的分界線上，故其可做半導(dǎo)體材料，其氯化物和溴化物為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，其沸點(diǎn)越高。
答案：(1)①三?、鬉 ②1s22s22p3 1 ③＞?。肌。尽。肌?2)①Al?、?s22s22p63s23p63d104s24p2 GeCl4 ③CD
13．(2016·昌樂(lè)模擬)下表是元素周期表的一部分，表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。試回答下列問(wèn)題：
(1)元素p為26號(hào)元素，請(qǐng)寫(xiě)出其基態(tài)原子的電子排布式______________。
(2)d與a反應(yīng)的產(chǎn)物的分子中，中心原子的雜化形式為_(kāi)_______________。
(3)h的單質(zhì)在空氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光，請(qǐng)用原子結(jié)構(gòu)的知識(shí)解釋發(fā)光的原因：________________________________________________________________________
________________________________________________________________________。
(4)o、p兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表：
元素
o
p
電離能/ (kJ·mol－1)
I1
717
759
I2
1 509
1 561
I3
3 248
2 957
比較兩元素的I2、I3可知，氣態(tài)o2＋再失去一個(gè)電子比氣態(tài)p2＋再失去一個(gè)電子難。對(duì)此，你的解釋是_________________________________________________________________
________________________________________________________________________。
(5)第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如圖Ⅰ所示，其中電負(fù)性最大的是____________(填圖中的序號(hào))。
(6)表中所列的某主族元素的電離能情況如圖Ⅱ所示，則該元素是____________(填元素符號(hào))。
解析：(1)26號(hào)為鐵元素，其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2。
(2)d為N元素，a為H元素，二者形成的NH3中N原子的雜化形式為sp3。
(3)h為Mg元素，Mg單質(zhì)在空氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光，原因是電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí)，以光(子)的形式釋放能量。
(4)o元素為Mn，其基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2，Mn2＋的基態(tài)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5，其3d能級(jí)為半充滿結(jié)構(gòu)，相對(duì)比較穩(wěn)定，當(dāng)其失去第三個(gè)電子時(shí)比較困難，而p2＋的基態(tài)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d6，其3d能級(jí)再失去一個(gè)電子即為半充滿結(jié)構(gòu)，形成相對(duì)比較穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，故其失去第三個(gè)電子比較容易。
(5)第三周期8種元素分別為鈉、鎂、鋁、硅、磷、硫、氯、氬，其單質(zhì)中鈉、鎂、鋁形成金屬晶體，熔點(diǎn)依次升高；硅形成原子晶體；磷、硫、氯、氬形成分子晶體，且常溫下磷、硫?yàn)楣腆w，氯氣、氬為氣體，故8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)楣琛X、鎂、硫、磷、鈉、氯、氬，其中電負(fù)性最大的為氯。
(6)由圖可知，該元素的電離能I4 遠(yuǎn)大于I3，故為第ⅢA族元素，周期表中所列的第ⅢA族元素i屬于第三周期，應(yīng)為Al。
答案：(1)1s22s22p63s23p63d64s2 (2)sp3
(3)電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí)，以光(子)的形式釋放能量
(4)Mn2＋的3d軌道電子排布為半滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定
(5) 2 (6)Al
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