《2019年高考化學(xué) 中等生百日捷進(jìn)提升系列 專題2.17 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)基礎(chǔ)練測.doc》由會員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《2019年高考化學(xué) 中等生百日捷進(jìn)提升系列 專題2.17 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)基礎(chǔ)練測.doc（19頁珍藏版）》請?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
專題2.17 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
考綱解讀
1．原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)
（1）了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)、能級分布和排布原理。能正確書寫1~36號元素原子核外電子、價(jià)電子的電子排布式和軌道表達(dá)式。
（2）了解電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。
（3）了解電子在原子軌道之間的躍遷及其簡單應(yīng)用。
（4）了解電負(fù)性的概念，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。
2．化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)
（1）理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。
（2）了解共價(jià)鍵的形成、極性、類型（σ鍵和π鍵）。了解配位鍵的含義。
（3）能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)。
（4）了解雜化軌道理論及簡單的雜化軌道類型（sp、sp2、sp3）
（5）能用價(jià)層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測簡單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)。
3．分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)
（1）了解范德華力的含義及對物質(zhì)性質(zhì)的影響。
（2）了解氫鍵的含義，能列舉存在氫鍵的物質(zhì)，并能解釋氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響。
4．晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
（1）了解晶體的類型，了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。
（2）了解晶格能的概念，了解晶格能對離子晶體性質(zhì)的影響。
（3）了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。
（4）了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。
（5）理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。了解金屬晶體常見的堆積方式。
（6）了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。
考點(diǎn)探究
原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查集中在核外電子排布規(guī)律以及元素性質(zhì)的周期性變化和應(yīng)用方向。題型以填空題為主，常與物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的其他考點(diǎn)綜合在一起來考查。問題的設(shè)置以核外電子排布的表示方法和元素電負(fù)性、電離能的大小判斷，及其變化規(guī)律和應(yīng)用為主。2019年考查點(diǎn)和命題方式將保持不變。
分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查集中在共價(jià)鍵的類型特征，雜化軌道和分子類型及微粒之間作用力的判斷和比較等。題型以填空題為主，常作為綜合應(yīng)用的一個(gè)方面進(jìn)行考查，比如分子立體構(gòu)型和極性，分子間作用力與物質(zhì)性質(zhì)的比較等，2019年將仍會持續(xù)考查，應(yīng)重點(diǎn)理解雜化軌道和分子構(gòu)型的關(guān)系、氫鍵和配位鍵的含義等。
晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)是高考重點(diǎn)考查的內(nèi)容，要求熟悉常見晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，具備從宏觀和微觀兩個(gè)方面理解應(yīng)用晶體知識的能力，2019高考將在根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算上、晶格能對離子晶體性質(zhì)的影響、常見金屬晶體的堆積方式上重點(diǎn)考查。
預(yù)計(jì)2019年高考將以一種已知的元素立題，選取與其相關(guān)的某些典型單質(zhì)或化合物展開設(shè)問，綜合考查原子、分子和晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)；或以幾種已知的元素立題，依托不同元素的物質(zhì)分別獨(dú)立或側(cè)重考查原子、分子和晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)；或以推斷出的幾種元素立題，依托它們之間組成的物質(zhì)綜合考查原子、分子和晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
知識梳理
一、基態(tài)原子的核外電子排布及表示方法
1、能層、能級、原子軌道及其最多容納電子數(shù)的關(guān)系
能層n
一
二
三
四
五
…
n
符號
K
L
M
N
O
…
…
能級
1s
2s
2p
3s
3p
3d
4s
4p
4d
4f
5s
…
…
…
原子軌道
1s
1
3
1
3
5
1
3
5
7
1
…
…
…
最多容納電子數(shù)
1
2
6
2
6
10
2
6
10
14
2
…
…
…
2
8
18
32
…
…
2n2
2、原子的核外電子排布式(圖)的書寫
（1）核外電子排布式：用數(shù)字在能級符號右上角表明該能級上排布的電子數(shù)。例如，K：1s22s22p63s23p64s1。為了簡化，通常把內(nèi)層已達(dá)稀有氣體電子結(jié)構(gòu)的部分稱為“原子實(shí)”，用該稀有氣體的元素符號加方括號來表示。例如，K：[Ar]4s1。
（3）記住常見的一些典型分子中中心原子的雜化方式。
四、不同微粒間相互作用的比較
1、三種化學(xué)鍵的比較
離子鍵
共價(jià)鍵
金屬鍵
非極性鍵
極性鍵
配位鍵
本質(zhì)
陰、陽離子間通過靜電作用形成
相鄰原子間通過共用電子對(電子云重疊)與原子核間的靜電作用形成
金屬陽離子與自由電子間的作用
成鍵條件(元素種類)
成鍵原子的得、失電子能力差別很大(活潑金屬與非金屬之間)
成鍵原子得、失電子能力相同(同種非金屬)
成鍵原子得、失電子能力差別較小(不同非金屬)
成鍵原子一方有孤電子對(配位體)，另一方有空軌道(中心離子)
同種金屬或不同種金屬(合金)
特征
無方向性無飽和性
有方向性、飽和性
無方向性無飽和性
表示方式
(電子式)
舉例
H:H
存在
離子化合物
(離子晶體)
單質(zhì)H2，共價(jià)化合物H2O2，離子化合物Na2O2
共價(jià)化合物HCl，離子化合物NaOH
離子化合物NH4Cl
金屬單質(zhì)(金屬晶體)
2、范德華力、氫鍵、共價(jià)鍵的比較
范德華力
氫鍵
共價(jià)鍵
概念
物質(zhì)分子之間普遍存在的一種相互作用力，又稱分子間作用力
已經(jīng)與電負(fù)性很強(qiáng)的原子形成共價(jià)鍵的氫原子與另一個(gè)電負(fù)性很強(qiáng)的原子之間的作用力
原子間通過共用電子對形成的相互作用
分類
分子內(nèi)氫鍵、分子間氫鍵
極性共價(jià)鍵、非極性共價(jià)鍵、配位鍵
存在
范圍
分子間
某些含強(qiáng)極性鍵氫化物的分子間(如HF、H2O、NH3)或含F(xiàn)、N、O及H的化合物的分子內(nèi)或其分子間
雙原子或多原子的分子或共價(jià)化合物和某些離子化合物
特征
無方向性、無飽和性
有方向性、有飽和性
有方向性、有飽和性
強(qiáng)度比較
共價(jià)鍵>氫鍵>范德華力
影響強(qiáng)度的因素
①隨著分子極性和相對分子質(zhì)量的增大而增大
②組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大
對于A—H…B，A、B的電負(fù)性越大，B原子的半徑越小，氫鍵越牢固
成鍵原子半徑越小，鍵長越短，鍵能越大，共價(jià)鍵越穩(wěn)定
對物質(zhì)性質(zhì)的影響
①影響物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)、溶解度等物理性質(zhì)；②組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，隨相對分子質(zhì)量的增大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)升高。如熔、沸點(diǎn)F2
H2S，HF>HCl，NH3>PH3
①影響分子的穩(wěn)定性；②共價(jià)鍵鍵能越大，分子穩(wěn)定性越強(qiáng)
五、晶體類型的判斷方法
1、依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間的作用判斷
（1）離子晶體的構(gòu)成微粒是陰、陽離子，微粒間的作用是離子鍵。
（2）原子晶體的構(gòu)成微粒是原子，微粒間的作用是共價(jià)鍵。
（3）分子晶體的構(gòu)成微粒是分子，微粒間的作用為分子間作用力。
（4）金屬晶體的構(gòu)成微粒是金屬陽離子和自由電子，微粒間的作用是金屬鍵。
2、依據(jù)物質(zhì)的分類判斷
（1）金屬氧化物(如K2O等)、強(qiáng)堿(NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。
（2）大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)、非金屬氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。
（3）常見的原子晶體單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的原子晶體化合物有碳化硅、二氧化硅等。
（4）金屬單質(zhì)是金屬晶體。
3、依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷
（1）離子晶體的熔點(diǎn)較高，常在數(shù)百至一千攝氏度以上。
（2）原子晶體熔點(diǎn)高，常在一千攝氏度至幾千攝氏度。
（3）分子晶體熔點(diǎn)低，常在數(shù)百攝氏度以下至很低溫度。
（4）金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)高，但也有相當(dāng)?shù)偷摹?
4、依據(jù)導(dǎo)電性判斷
（1）離子晶體溶于水形成的溶液及熔融狀態(tài)時(shí)能導(dǎo)電。
（2）原子晶體一般為非導(dǎo)體。
（3）分子晶體為非導(dǎo)體，而分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和強(qiáng)極性非金屬氫化物)溶于水，使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由移動(dòng)的離子，也能導(dǎo)電。
（4）金屬晶體是電的良導(dǎo)體。
5、依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷：離子晶體硬度較大且脆。原子晶體硬度大。分子晶體硬度小且較脆。金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較低的，且具有延展性。
六、常見晶體的熔沸點(diǎn)高低的判斷
1、不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律：原子晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等沸點(diǎn)很高，如汞、鎵、銫等沸點(diǎn)很低，金屬晶體一般不參與比較。
2、原子晶體：由共價(jià)鍵形成的原子晶體中，原子半徑小的鍵長短，鍵能大，晶體的熔、沸點(diǎn)高。如熔點(diǎn)：金剛石>碳化硅>硅。
3、離子晶體：一般地說，陰、陽離子所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子間的作用就越強(qiáng)，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高，如熔點(diǎn)：MgO>MgCl2>NaCl>CsCl。
4、分子晶體：
（1）分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子晶體，熔、沸點(diǎn)反常地高。如H2O>H2Te>H2Se>H2S。
（2）組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，如SnH4>GeH4>SiH4>CH4，F(xiàn)2N2，CH3OH>CH3CH3。
（4）同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。例如：CH3—CH2—CH2—CH2—CH3>。
（5）同分異構(gòu)體的芳香烴，其熔、沸點(diǎn)高低順序是鄰>間>對位化合物。
5、金屬晶體：金屬離子半徑越小，離子電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、沸點(diǎn)就越高，如熔、沸點(diǎn)：NaNa>K>Rb>Cs。
七、晶體結(jié)構(gòu)的分析與計(jì)算方法
1、幾種典型晶體結(jié)構(gòu)的分析
晶體
晶體結(jié)構(gòu)
晶體詳解
原子晶體
金剛石
(1)每個(gè)碳與相鄰4個(gè)碳以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)鍵角均為10928′(3)最小碳環(huán)由6個(gè)C組成且六原子不在同一平面內(nèi)(4)每個(gè)C參與4條C—C鍵的形成，C原子數(shù)與C—C鍵之比為1∶2
SiO2
(1)每個(gè)Si與4個(gè)O以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)
(2)每個(gè)正四面體占有1個(gè)Si，4個(gè)“O”，n(Si)∶n(O)＝1∶2(3)最小環(huán)上有12個(gè)原子，即6個(gè)O，6個(gè)Si
分子晶體
干冰
(1)每個(gè)晶胞中含有4個(gè)CO2分子(2)每個(gè)CO2分子周圍等距緊鄰的CO2分子有12個(gè)
離子晶體
NaCl型
(1)每個(gè)Na＋(Cl－)周圍等距且緊鄰的Cl－(Na＋)有6個(gè)。每個(gè)Na＋周圍等距且緊鄰的Na＋有12個(gè)
(2)每個(gè)晶胞中含4個(gè)Na＋和4個(gè)Cl－
CsCl型
(1)每個(gè)Cs＋周圍等距且緊鄰的Cl－有8個(gè)，每個(gè)Cs＋(Cl－)周圍等距且緊鄰的Cs＋(Cl－)有6個(gè)
(2)如圖為8個(gè)晶胞，每個(gè)晶胞中含1個(gè)Cs＋、1個(gè)Cl－
金屬晶體
簡單立
方堆積
典型代表Po，空間利用率52%，配位數(shù)為6
體心立
方堆積
典型代表Na、K、Fe，空間利用率68%，配位數(shù)為8
六方最
密堆積
典型代表Mg、Zn、Ti，空間利用率74%，配位數(shù)為12
面心立方
最密堆積
典型代表Cu、Ag、Au，空間利用率74%，配位數(shù)為12
2、晶胞中微粒的計(jì)算方法——均攤法
考點(diǎn)突破
考點(diǎn)1 基態(tài)原子的核外電子排布及表示方法
【例1】下列說法錯(cuò)誤的是
A．電子排布式1s22s22p63s23p64s3違反了泡利原理
B．基態(tài)原子電子排布式1s22s22p63s23p63d5違反了能量最低原理
C．根據(jù)構(gòu)造原理，原子核外電子填充順序?yàn)?s2s2p3s3p3d 4s4p……
D．某主族元素氣態(tài)基態(tài)原子的逐級電離能分別為738、1451、7733、10540、13630、…，當(dāng)它與氯氣反應(yīng)時(shí)生成的陽離子是X2+
【答案】C
【解析】
【詳解】
【點(diǎn)睛】
本題考查了能量最低原理、洪特規(guī)則、泡利原理、能量守恒等知識點(diǎn)，明確這幾個(gè)原理含義是解本題關(guān)鍵。
考點(diǎn)2 原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)變化
【例2】現(xiàn)有四種元素基態(tài)原子電子排布式如下：
①1s22s22p63s23p4；②1s22s22p63s23p3；③1s22s22p3；④1s22s22p5.則下列有關(guān)比較中正確的是
A．單電子數(shù)：③＞① B．原子半徑：④＞③
C．電負(fù)性：②＞① D．最高正化合價(jià)：④＞①
【答案】A
【解析】
【分析】
四種元素基態(tài)原子電子排布式可知，①是S元素，②是P元素，③是N元素，④是F元素。
【詳解】
A.由①1s22s22p63s23p4，可知S的單電子數(shù)是2，③1s22s22p3；可知F的單電子數(shù)是3，單電子數(shù)：③＞①，故A正確；
②熔沸點(diǎn)：原子晶體>離子晶體>分子晶體；
③金屬晶體熔沸點(diǎn)與金屬鍵有關(guān)，金屬鍵與金屬離子半徑成反比、與離子所帶電荷數(shù)成正比；
④金屬晶體熔沸點(diǎn)與金屬鍵有關(guān)，金屬鍵與金屬離子半徑成反比、與離子所帶電荷數(shù)成正比。
【詳解】
①分子晶體熔沸點(diǎn)與相對分子質(zhì)量及氫鍵有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大分子晶體熔沸點(diǎn)越高；Hg是液態(tài)金屬，熔沸點(diǎn)較低，氧氣和碘都是分子晶體，Hg是液態(tài)金屬，碘是固態(tài)，所以熔沸點(diǎn)：I2>Hg>O2，故A錯(cuò)誤；
【點(diǎn)睛】
本題考查晶體熔沸點(diǎn)高低判斷，明確晶體類型、晶體熔沸點(diǎn)高低影響因素是解本題關(guān)鍵，注意金屬晶體熔沸點(diǎn)與金屬鍵有關(guān)，金屬鍵與離子半徑成反比、與離子所帶電荷數(shù)成正比，為易錯(cuò)點(diǎn)。
考點(diǎn)7 晶體結(jié)構(gòu)的分析與計(jì)算方法
【例7】下列有關(guān)晶體的敘述中，正確的是（ ?。?
A．在Si晶體中，Si原子與Si﹣Si鍵之比為1：4
B．在NaCl晶體中，每個(gè)Na+周圍距離最近的Na+有6個(gè)
C．在CsCl晶體中，與每個(gè)Cs+緊鄰的Cs+有8個(gè)
D．在面心立方堆積的金屬晶體中，每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有12個(gè)金屬原子
【答案】D
【解析】
【分析】
A．在Si晶體中，平均每個(gè)Si原子形成2個(gè)Si-Si鍵；
B．在氯化鈉晶體中，每個(gè)鈉離子周圍與它最近且距離相等的Na＋有12個(gè)；
C．氯化銫晶體中，銫離子的配位數(shù)是8，每個(gè)Cs＋周圍等距離緊鄰的有6個(gè)Cs＋；
D．面心立方晶體中，晶胞立方體每個(gè)頂點(diǎn)上都有一個(gè)原子，面心上都有一個(gè)原子．
【詳解】
A．在Si晶體中，平均每個(gè)Si原子形成2個(gè)Si-Si鍵，故Si原子與Si-Si鍵之比為1：2，故A錯(cuò)誤；
B．在NaCl晶體中，每個(gè)Na＋周圍與它最近且距離相等的Na＋有381/2=12，故B錯(cuò)誤；
C．氯化銫晶體中，銫離子在體心，氯離子在頂點(diǎn)，銫離子的配位數(shù)是8，所以每個(gè)Cs＋周圍緊鄰的有8個(gè)Cl－，但每個(gè)Cs＋周圍等距離緊鄰的有6個(gè)Cs＋，故C錯(cuò)誤；
D．面心立方晶體中，晶胞立方體每個(gè)頂點(diǎn)上都有一個(gè)原子，面心上都有一個(gè)原子，所以每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的金屬原子有381/2=12，故D正確。
故選：D。
【點(diǎn)睛】
本題考查晶胞分析，解題關(guān)鍵：注意把握NaCl、CsCl的晶體結(jié)構(gòu)、離子占據(jù)的位置。
基礎(chǔ)特訓(xùn)
1．磷、硫、氯、砷等是農(nóng)藥中的重要組成元素。回答下列問題：
（1）基態(tài)砷原子的核外價(jià)電子排布式為___________。
（2）生產(chǎn)農(nóng)藥的原料PSCl3中P、S、Cl的第一電離能由大到小的順序?yàn)開____________，電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開_________________________________________________。
（3）H2O 與H2S為同族元素的氫化物，H2O可以形成H3O+或H9O4+等，而H2S幾乎不能形成類似的H3S+或H9S4+，其原因是_________________________________________。
（4）COS（羰基硫）可用作糧食的熏蒸劑，其中碳原子的雜化軌道類型為_____________，所含共價(jià)鍵的類型為_____________，N2O與CO2互為等電子體，且N2O分子中O只與一個(gè)N相連，則N2O的電子式為________________________________________。
（5）AlP因殺蟲效率高、廉價(jià)易得而被廣泛應(yīng)用。已知AlP的熔點(diǎn)為2000℃ ，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
①磷化鋁的晶體類型為_____________。
②A、B點(diǎn)的原子坐標(biāo)如圖所示，則C點(diǎn)的原子坐標(biāo)為_____________。
③磷化鋁的晶胞參數(shù)a＝546.35pm（1pm＝10-12m），其密度為_____________（列出計(jì)算式即可，用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值）g/cm3。
【答案】4s24p3 Cl＞P＞S Cl＞S＞P 氧的電負(fù)性大且原子半徑小，H2O分子間及與H＋可形成氫鍵，而硫的電負(fù)性較小且原子半徑大，幾乎不能形成氫鍵 sp σ鍵和π鍵 原子晶體 （1/4，1/4，3/4）
【解析】
【分析】
(1）砷的核電荷數(shù)為33，基態(tài)砷原子的核外電子排布式為[Ar]4s24p3，價(jià)電子排布式為4s24p3；
(2）P、S、Cl均為第三周期主族元素，它們的第一電離能呈增大趨勢，但P原子的3p軌道為半充滿結(jié)構(gòu)相對穩(wěn)定，三種原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)镃l>P>S，非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，三種元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?Cl>S>P； 狀結(jié)構(gòu)，應(yīng)為原子晶體；
② A、B點(diǎn)的原子坐標(biāo)分別為（0、0、0）、（1、、）可知晶胞邊長為1，由此可推知C點(diǎn)的原子坐標(biāo)為（，，）；
③根據(jù)均攤法，晶胞中含有P原子數(shù)為8+6=4，Al原子數(shù)也為4，則1mol晶胞的質(zhì)量為4（27+31）g=458g，根據(jù)=計(jì)算密度。
【詳解】
（3）氧的電負(fù)性大且原子半徑小，H2O分子間及與H+可形成氫鍵，而硫的電負(fù)性較小且原子半徑大，幾乎不能形成氫鍵故H2O可以形成H9O4+以或H3O+，而H2S幾乎不能形成類似的H9S4+或H3S+；
故答案為：氧的電負(fù)性大且原子半徑小，H2O分子間及與H＋可形成氫鍵，而硫的電負(fù)性較小且原子半徑大，幾乎不能形成氫鍵；
（4）COS分子的結(jié)構(gòu)式為O=C=S，含有σ鍵和π鍵，COS分子中C原子形成2個(gè)σ鍵，孤對電子數(shù)為=0，則為sp雜化；N2O分子中O只與一個(gè)N相連，則結(jié)構(gòu)式為N=N=O，電子式為，
故答案為：sp ；σ鍵和π鍵； ；
②Al采取sp3雜化，用最外層的四個(gè)空軌道接受O提供的孤對電子形成配位鍵，O與H之間是極性共價(jià)鍵；
故答案為：BD；
(3) 同一周期元素自左而右第一電離能呈增大趨勢，但是Be原子2s軌道全充滿狀態(tài)是較穩(wěn)定的，所以Be的第一電離能大于B，第一電離能B
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2019年高考化學(xué)
中等生百日捷進(jìn)提升系列
專題2.17
物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)基礎(chǔ)練測
2019
年高
化學(xué)
中等
百日
提升
系列
專題
2.17
物質(zhì)
結(jié)構(gòu)
性質(zhì)
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2019年高考化學(xué) 中等生百日捷進(jìn)提升系列 專題2.17 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)基礎(chǔ)練測.doc
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