院(系)機(jī)電工程學(xué)院 專(zhuān)業(yè) 機(jī)械設(shè)計(jì)制造及其自動(dòng)化 班 姓名 學(xué)號(hào) 1.畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目: 劃片機(jī)的總體規(guī)劃及 Y、Z 軸設(shè)計(jì) 2.題目背景和意義:IC 封 裝 是 半 導(dǎo) 體 三 大 產(chǎn) 業(yè) 之 一 (器 件 設(shè) 計(jì) 、 晶 片 制 作 和 器 件 封 裝 )。 其 后 封 裝 工 序主 要 包 括 :劃 片 、 粘 片 、 超 聲 球 焊 、 封 裝 、 檢 測(cè) 、 包 裝 。 劃 片 機(jī) 是 IC 后 封 裝 線 上 的 第一 道 關(guān) 鍵 設(shè) 備 ,其 作 用 是 把 制 作 好 的 晶 片 切 割 成 單 元 器 件 ,為 下 一 步 單 元 晶 片 粘 接 做 好準(zhǔn) 備 。 劃 片 機(jī) 切 割 晶 片 的 規(guī) 格 一 般 為 3-6 晶 片 ,單 元 晶 片 的 外 型 一 般 為 矩 形 或 多 邊 形 。目 前 ,我 國(guó) 的 半 導(dǎo) 體 封 裝 設(shè) 備 (如 劃 片 機(jī) 、 粘 片 機(jī) 、 金 絲 球 焊 機(jī) 等 )還 主 要 從 美 國(guó) 、 日本 、 新 加 坡 引 進(jìn) 。 為 了 促 進(jìn) IC 封 裝 設(shè) 備 的 國(guó) 產(chǎn) 化 ,本 課 題 組 開(kāi) 展 了 IC 封 裝 設(shè) 備 劃 片機(jī) 的 研 制 工 作 。 因此把“劃片機(jī)的總體規(guī)劃及 Y、 Z 軸設(shè)計(jì)”作為本科論文的課題,既有較大的學(xué)術(shù)價(jià)值,又有廣闊的應(yīng)用前景。 3.設(shè)計(jì)(論文) 的主要內(nèi)容(理工科含技術(shù)指標(biāo)):(1)通過(guò)調(diào)研和參閱相關(guān)資料,了解 IC 封裝及劃片機(jī)的工作原理; (2)完成原理方案設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)方案設(shè)計(jì),確定實(shí)施方案; (3)對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)的初步設(shè)計(jì),并完成相關(guān)的計(jì)算; (4)完成劃片機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu) Y、Z 軸進(jìn)行具體設(shè)計(jì);(Y 軸:有效行程大于 160mm,最小位移分辨率小于 2μm,步進(jìn)精度小于 4μm,全程累積誤差小于 5μm/160mm; Z 軸:最大行程30mm,重復(fù)定位精度小于 2μm。 ) ; (5)完成裝配圖和零件圖。 4.設(shè)計(jì)的基本要求及進(jìn)度安排(含起始時(shí)間、設(shè)計(jì)地點(diǎn)):(1)1-3 周:調(diào)研,通過(guò)查閱相關(guān)文獻(xiàn)和刊物,了解 IC 封裝及劃片機(jī)的工作原理,完成開(kāi)題報(bào)告。 (2)4-8 周:完成原理方案設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)方案設(shè)計(jì),確定擬實(shí)施的方案,完成英文資料翻譯。(3)9-13 周:對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)的初步設(shè)計(jì),并完成相關(guān)的計(jì)算;完成劃片機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu) Y、Z 軸進(jìn)行具體設(shè)計(jì);(4)14-18 周:完成設(shè)計(jì)圖紙,寫(xiě)出畢業(yè)論文,準(zhǔn)備答辯。 5.畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)的工作量要求① 實(shí)驗(yàn)(時(shí)數(shù)) *或?qū)嵙?xí)(天數(shù)): 工作時(shí)間 18 周,上機(jī) 30 機(jī)時(shí) ② 圖紙(幅面和張數(shù)) *: A0 圖紙不少于 3 張 ③ 其他要求: 外文翻譯字?jǐn)?shù):中文不少于 3000 字 ; 參考文獻(xiàn)篇數(shù):中文不少于 15 篇 ,英文不少于 3 篇 ; 論文字?jǐn)?shù):不少于 15000 字。 指導(dǎo)教師簽名: 年 月 日學(xué)生簽名: 年 月 日系(教研室)主任審批: 年 月 日說(shuō)明:1 本表一式二份,一份由學(xué)生裝訂入附件冊(cè),一份教師自留。2 帶*項(xiàng)可根據(jù)學(xué)科特點(diǎn)選填。 畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)開(kāi)題報(bào)告題目:劃片機(jī)的總體規(guī)劃及 Y、Z 軸設(shè)計(jì)系 別 專(zhuān) 業(yè) 班 級(jí) 姓 名 學(xué) 號(hào) 導(dǎo) 師 年 月 日開(kāi) 題 報(bào) 告 填 寫(xiě) 要 求1.開(kāi)題報(bào)告作為畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)答辯委員會(huì)對(duì)學(xué)生答辯資格審查的依據(jù)材料之一。此報(bào)告應(yīng)在指導(dǎo)教師指導(dǎo)下,由學(xué)生在畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)工作前期內(nèi)完成。2.開(kāi)題報(bào)告內(nèi)容必須按教務(wù)處統(tǒng)一設(shè)計(jì)的電子文檔標(biāo)準(zhǔn)格式(可從教務(wù)處網(wǎng)頁(yè)上下載)填寫(xiě)并打印(禁止打印在其它紙上后剪貼) ,完成后應(yīng)及時(shí)交給指導(dǎo)教師審閱。3.開(kāi)題報(bào)告字?jǐn)?shù)應(yīng)在 1500 字以上,參考文獻(xiàn)應(yīng)不少于 15 篇(不包括辭典、手冊(cè),其中外文文獻(xiàn)至少 3 篇) ,文中引用參考文獻(xiàn)處應(yīng)標(biāo)出文獻(xiàn)序號(hào), “參考文獻(xiàn)”應(yīng)按附件中 《參考文獻(xiàn) “注釋格式”》的要求書(shū)寫(xiě)。4.年、月、日的日期一律用阿拉伯?dāng)?shù)字書(shū)寫(xiě),例:“2008 年 11 月 26 日” 。5.開(kāi)題報(bào)告增加封面,封面格式:題目:宋體,加粗,二號(hào);系別等內(nèi)容格式:宋體,四號(hào),居中。畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)綜述(題目背景、研究意義及國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究情況)一、題目背景及研究意義IC 封裝是半導(dǎo)體三大產(chǎn)業(yè)之一(器件設(shè)計(jì)、晶片制作和器件封裝)。其后封裝工序主要包括:劃片、粘片、超聲球焊、封裝、檢測(cè)、包裝。劃片機(jī)是 IC 后封裝線上的第一道關(guān)鍵設(shè)備,其作用是把制作好的晶片切割成單元器件,為下一步單元晶片粘接做好準(zhǔn)備。劃片機(jī)切割晶片的規(guī)格一般為 3-6 晶片,單元晶片的外型一般為矩形或多邊形。目前,我國(guó)的半導(dǎo)體封裝設(shè)備(如劃片機(jī)、粘片機(jī)、金絲球焊機(jī)等)還主要從美國(guó)、日本、新加坡引進(jìn)。為了促進(jìn) IC 封裝設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化,本課題組開(kāi)展了IC 封裝設(shè)備劃片機(jī)的研制工作。因此把“劃片機(jī)的總體規(guī)劃及 Y、Z 軸設(shè)計(jì)”作為本科論文的課題,既有較大的學(xué)術(shù)價(jià)值,又有廣闊的應(yīng)用前景。二、國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀1、劃片技術(shù)的發(fā)展劃片技術(shù)是集成電路后封裝的一道工序,劃片機(jī)的劃片方法根據(jù)其發(fā)展過(guò)程可以分為三種:金剛石劃片、激光劃片和砂輪劃片。(1)金剛石劃片這是最早出現(xiàn)的劃片方法,是目前用得最少的方法,與劃玻璃的原理相同。使用鋒利的金剛石尖端,以 50 克左右的固定載荷劃出小片的分割線,再加上彎曲力矩使之分成小片。一般來(lái)說(shuō),金剛石劃片時(shí)線條寬度為 6 一 8μm 、深度為 5μm ,硅表面發(fā)生塑性變形,線條周?chē)形⒘鸭y等。如果劃片時(shí)出現(xiàn)切屑,掰片時(shí)就可能裂開(kāi),小片的邊緣又不整齊,分片就不能順利進(jìn)行。金剛石尖有圓錐形(l 點(diǎn)式)、四方錐形(4 點(diǎn)式)等。圓錐形的金剛石尖是采用其十二面體晶格上的(111軸,并將尖端加工成半徑 2 一 5 μm 的球面。劃片的成品率在很大程度上取決于金剛石尖端的加工精度及其鋒利性的保持情況。(2)激光劃片第二代劃片的方法是激光劃片。激光劃片就是將激光呈脈沖狀照射在硅片表面上,被光照的那一部分硅就會(huì)因吸收激光而被加熱到 10000℃的高溫,并在一瞬間即氣化或熔化了,使硅片留下溝槽,然后再沿溝槽進(jìn)行分開(kāi)的方法。激光劃片時(shí),硅粉會(huì)粘在硅片表面上,所以還必須對(duì)硅片上的灰塵進(jìn)行必要的處理。該方法劃硅片比金剛石劃片的成品率高,所以曾經(jīng)在一個(gè)時(shí)期內(nèi)替代了金剛石劃片。但激光劃片對(duì)工藝條件十分敏感。激光功率、劃片速度、焦點(diǎn)位置、氣流壓力等參數(shù)的波動(dòng)或變化都會(huì)影響劃片質(zhì)量,致使劃片深度尺寸不均勻,導(dǎo)致分片時(shí)容易碎片,降低成品率,增加了成本。同時(shí)激光劃片時(shí),高溫對(duì)熱組織區(qū)內(nèi)的材料也有很大的影響,從而影響到芯片的性能。但激光劃片相對(duì)于其他的劃片技術(shù)來(lái)說(shuō),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,在切割中和切割后芯片碎裂率少,無(wú)論單晶硅片薄厚,切口寬度均小于3μm,切口邊緣平直、精準(zhǔn)、光滑,能夠在每片晶圓上制作并切割出更多數(shù)量的芯片。(3)砂輪劃片第三代劃片機(jī)是砂輪劃片機(jī)。砂輪劃片機(jī)是利用高速運(yùn)轉(zhuǎn)的空氣靜壓主軸帶動(dòng)刀片,通過(guò)光柵尺和導(dǎo)軌系統(tǒng)的控制,將刀刃定位在加工材料上,最終形成具有一定深度和寬度的切口 [1]。砂輪劃片工藝質(zhì)量與主軸轉(zhuǎn)速、切割速度、刀片厚度等都有一定的關(guān)系。相對(duì)合理的主軸轉(zhuǎn)速能有效地控制刀片在隨主軸轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)的相對(duì)震動(dòng)、有利于刀片在切割時(shí)的徑向穩(wěn)定性,從而提高切割質(zhì)量。刀片的切割速度決定工作效率,如果切割速度不斷變大,在切割的過(guò)程中沿溝槽的刀具的速度也會(huì)變得不好控制。切割速度會(huì)受制于待加工材料的硬度,如硅晶圓表面材料的硬度直接決定切割速度。如果切割超硬材料時(shí)切割深度過(guò)大都不利于刀片的正常使用,并最終影響到刀片的壽命。三種劃片技術(shù)的比較如表 1 所示。由表 1 可以看出,砂輪劃片的加工速度、加工深度、加工寬度、加工效果等相對(duì)其他兩種加工技術(shù)具有突出的優(yōu)點(diǎn),因此砂輪劃片是目前的主流加工技術(shù)。表 1 加工工藝比較指標(biāo) 分類(lèi) 金剛石劃片 激光劃片 砂輪劃片加工速度 46mm/s 150mm/s 300mm/s加工深度 3~10μm ~100μm ~100μm加工寬度 3~10μm 20~25μm ?刀片厚度+10μm劃片效果 裂紋大 有熱損耗 只有微小裂紋成品率 60~70% 70~80% 98%噪音 小 大 較小其他 硅片厚度為小片尺寸的 1/4 以下有黏著灰塵的問(wèn)題 需要切削液、壓縮空氣2、劃片機(jī)的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀在國(guó)外,劃片機(jī)自七十年代初問(wèn)世以來(lái),發(fā)展非常迅速,應(yīng)用領(lǐng)域也越來(lái)越廣,品種也在不斷增加。剛開(kāi)始時(shí),只有日本、英國(guó)、美國(guó)三個(gè)國(guó)家的四、五個(gè)公司制造劃片機(jī),而如今俄羅斯、臺(tái)灣、中國(guó)大陸也都制造出了劃片機(jī),劃片機(jī)制造廠家己經(jīng)發(fā)展到十多個(gè)公司 [2]。目前,國(guó)外生產(chǎn)劃片機(jī)的廠商主要有:日本 DISCO、東京精密 TSK,以色列 ADT,以及英國(guó)流星 Loadpoint 公司最初生產(chǎn)的劃片機(jī)只是用來(lái)切割晶體管半導(dǎo)體硅片,只能切割最大為 3 英寸的硅片。而如今,它不僅可以切割硅片,還可以切割其它的薄、脆、硬材料,應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。日本 DISCO 公司生產(chǎn)的劃片機(jī)占世界劃片機(jī)銷(xiāo)量的 80%,代表著當(dāng)今劃片機(jī)的較高水平。該公司在 2002 年 12 月推出了 DFD636O 型劃片機(jī),該機(jī)最大劃片尺寸達(dá) 3O0mm(12 英寸),劃片槽寬度達(dá)到20μm 切割速度高達(dá) 600mm/s,定位精度最高達(dá) 0.003mm。JPsereezAssoeiateS 公司生產(chǎn)紫外(UV)激光劃片機(jī),可用于切割 300mm 直徑的單晶硅圓片,采用 355un 或 266nm的短脈沖 UV 激光光源,采用了高性能、超精確的氣動(dòng)操作臺(tái),獲得了較高的速度和加速度,斷面邊緣光滑平直,而且劃片槽僅有 2.5μm 寬。我國(guó)真正研制劃片機(jī)的時(shí)間較晚,基本上是從七十年代開(kāi)始的。1982 年我國(guó)研制出第一臺(tái)國(guó)產(chǎn)化的砂輪劃片機(jī),結(jié)束了當(dāng)時(shí)我國(guó)劃片機(jī)完全依賴(lài)進(jìn)口的局面。國(guó)產(chǎn)劃片機(jī)設(shè)備制造商主要有:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第 45 研究所、沈陽(yáng)儀表科學(xué)研究院、西安捷盛電子技術(shù)有限責(zé)任公司、上海富安工廠自動(dòng)化有限公司、武漢三工光電設(shè)備制造有限公司。我國(guó)的劃片機(jī)主要以中國(guó)電子科技集團(tuán)第 45 研究所為代表,該研究所從 1994 年開(kāi)始先后生產(chǎn)了 HP602 型(150mm)精密自動(dòng)劃片機(jī),該款劃片機(jī)采用恒力矩變頻分相調(diào)速技術(shù),可以減少圓片正反面的崩角情況并能夠提高芯片的抗折強(qiáng)度,從而提高了芯片的質(zhì)量,工作臺(tái)采用滾動(dòng)導(dǎo)軌;在此基礎(chǔ)上于 2004 年研制了 HP801 型(200mm)精密自動(dòng)劃片機(jī),在增大硅晶圓片一的直徑的同時(shí),也增加了硅晶圓片上芯片的數(shù)量,提高了芯片產(chǎn)出的效率,并達(dá)到了實(shí)用化,定位精度為士 10μm;而后又研制了 KS780 等型號(hào)的劃片機(jī)。沈陽(yáng)儀表科學(xué)研究院研制了 ZSHS 型自動(dòng)砂輪劃片機(jī),精度達(dá)到了士5μm μm /35Omm,切割晶圓的行程為 152.4mm,與當(dāng)時(shí)國(guó)際上 203.2mm 有很大的差距,切割速度為 150mm/S,與當(dāng)時(shí)的國(guó)外先進(jìn)的劃片速度 300mlm/s 還相差很大。目前,國(guó)產(chǎn)新型的雙軸 200mm(8 英寸)精密自動(dòng)劃片機(jī),也已進(jìn)入了實(shí)用化階段,劃片槽寬度達(dá)到 30~40μm。2010 年 1 月 3 日,蘇州天弘激光股份有限公司推出了其第一款晶圓激光劃片機(jī) TH 一 321 型激光劃片機(jī),采用高精度的兩維直線電機(jī)工作臺(tái)及直驅(qū)旋轉(zhuǎn)平臺(tái),劃片槽寬度降低到 3μm。武漢三工光電設(shè)備制造有限公司生產(chǎn)的晶圓激光劃片機(jī),采用數(shù)控的工作方式,最大線切害速度為 140mm/S,定位精度為士 10μm。從國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀來(lái)看,國(guó)內(nèi)劃片機(jī)的劃片尺寸、切割速度及定位精度還沒(méi)有達(dá)到國(guó)習(xí)際先進(jìn)的水平,劃片槽的寬度也與國(guó)外相差很大,所以對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行總體規(guī)劃并且對(duì)其 Y、Z 軸進(jìn)行設(shè)計(jì)具有重要的意義。三、主要研究?jī)?nèi)容及研究方案(1)通過(guò)調(diào)研和參閱相關(guān)資料,了解 IC 封裝及劃片機(jī)的工作原理; (2)完成原理方案設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)方案設(shè)計(jì),確定實(shí)施方案; (3)對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)的初步設(shè)計(jì),并完成相關(guān)的計(jì)算; (4)完成劃片機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu) Y、Z 軸進(jìn)行具體設(shè)計(jì);(Y 軸:有效行程大于 160mm,最小位移分辨率小于 2μm,步進(jìn)精度小于 4μm,全程累積誤差小于 5μm/160mm; Z 軸:最大行程 30mm,重復(fù)定位精度小于 2μm。 ) ; (5)完成裝配圖和零件圖。四、本課題研究的重點(diǎn)及難點(diǎn),前期已開(kāi)展工作根據(jù)劃片的工藝要求,劃片機(jī)應(yīng)具有高剛度、高可靠性、高穩(wěn)定性、高定位精度等,而劃片機(jī)的運(yùn)動(dòng)方案有許多種,每種方案各有其優(yōu)缺點(diǎn)。因此,在深入分析劃片機(jī)的工藝要求、對(duì)比不同的運(yùn)動(dòng)方案的特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,找到影響劃片質(zhì)量的關(guān)鍵點(diǎn),然后確定總體方案,對(duì)提高劃片機(jī)的總體性能具有至關(guān)重要的作用,也是研究的難點(diǎn)所在。在確定了總體方案之后,根據(jù)本課題的任務(wù)要求,對(duì) Y 軸和 Z 軸進(jìn)行設(shè)計(jì)。Y 軸系統(tǒng)的作用是帶動(dòng)高速主軸做切割進(jìn)給運(yùn)動(dòng),即按單元晶片的規(guī)格尺寸分步運(yùn)動(dòng)。X軸完成一個(gè)往復(fù)運(yùn)動(dòng)后,Y 軸導(dǎo)軌帶動(dòng)高速主軸運(yùn)行一個(gè)單元晶片尺寸距離,以便完成下一行的切割。對(duì) Y 軸的要求是結(jié)構(gòu)剛度高,運(yùn)行平穩(wěn),位移分辨率要高(2Lm),導(dǎo)軌全程累積誤差要小(5Lm/160mm) [3]。因此,Y 軸對(duì)傳動(dòng)精度和定位精度要求比較高,如何確定的 Y 軸的傳動(dòng)方案是本課題的研究重點(diǎn)及難點(diǎn)。Z 軸系統(tǒng)的作用是在劃片過(guò)程中帶動(dòng)高速主軸做抬刀落刀運(yùn)動(dòng)。X 軸帶動(dòng)工作臺(tái)往復(fù)運(yùn)動(dòng)一次,Z 軸帶動(dòng)劃片刀也上下抬落一次,完成對(duì)單元晶片的分段切割。對(duì) Z 軸的要求是重復(fù)定位精度要高,以保證對(duì)晶片切割深度的一致性。因此,如何確定 Z 軸的傳動(dòng)方案,是本課題的研究重點(diǎn)及難點(diǎn)。針對(duì)課題要求,前期主要是查閱相關(guān)文獻(xiàn),了解劃片機(jī)的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀及國(guó)內(nèi)外的研究方法,調(diào)研了國(guó)內(nèi)外劃片機(jī)的性能特點(diǎn),了解了劃片機(jī)的工作原理,明確了劃片機(jī)的性能要求,為下一步的設(shè)計(jì)工作打下了基礎(chǔ)。五、工作方案(1)1-3 周:調(diào)研,通過(guò)查閱相關(guān)文獻(xiàn)和刊物,了解 IC 封裝及劃片機(jī)的工作原理,完成開(kāi)題報(bào)告。 (2)4-8 周:完成原理方案設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)方案設(shè)計(jì),確定擬實(shí)施的方案,完成英文資料翻譯。 (3)9-13 周:對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)的初步設(shè)計(jì),并完成相關(guān)的計(jì)算;完成劃片機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu) Y、Z 軸進(jìn)行具體設(shè)計(jì);(4)14-18 周:完成設(shè)計(jì)圖紙,寫(xiě)出畢業(yè)論文,準(zhǔn)備答辯。六、參考文獻(xiàn)[1]姚道俊.砂輪劃片工藝的實(shí)踐與提高[J].集成電路通訊,2005,(6):35 一 37.[2]袁惠珠.精密砂輪劃片機(jī)的設(shè)計(jì)及精度分析 7D].沈陽(yáng):沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué),2004.[3]馮曉國(guó),張景和,張乘嘉,等.IC 封裝設(shè)備劃片機(jī)的研制[J].儀器儀表學(xué)報(bào),2003,(4):50 一 52.[4]謝中生.DISCO 會(huì)社與其具有世界領(lǐng)先水平的劃片機(jī)[J].電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備,1996,(4):40 一 41.[5]袁慧珠.劃片機(jī)定位精度的設(shè)計(jì)[J].儀表技術(shù)與傳感器,2003,(7):51 一 52.[6]候飛.劃片機(jī)工作臺(tái)精確定位控制技術(shù)研究[D].西安,西安工業(yè)大學(xué),2012.[7]楊云龍,劉金榮.全自動(dòng)劃片機(jī)自動(dòng)識(shí)別對(duì)準(zhǔn)技術(shù)的研究[J].電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備,2001,(110):46 一 4.[8]俞忠飪.我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和展望[J].微細(xì)加工技術(shù),1998,(1):1 一6.[9]宮崎.Ic 制造上諸多問(wèn)題[J].機(jī)械研究,1969,21(2):69 一 73.[10]王春明,胡倫驥等.激光切割前沿輻射與切割質(zhì)量關(guān)系的初探「J〕.中國(guó)機(jī)械工程,2001,(7):312.[11]張明明,白宇.ZSHS 自動(dòng)砂輪劃片機(jī)控制程序設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)〔Jl.電子工業(yè)專(zhuān)業(yè)設(shè)備:2008(162):49 一 54[12]王明權(quán).HP 一 602 型精密自動(dòng)劃片機(jī)誤差分析與精度分配[J].電子工業(yè)專(zhuān)業(yè)設(shè)備,1999(2):18 一 23.[13]SeamanFD.MaterialworkingLasersintheUnitedStates=J〕.Proe.eonf.助on,1983:120 一 27.[14]0.Imanakaetal:ObservationofChiPRemovingProeessduringGrindingbyaMiero一 FrachTeehnique,Bull.Electroteeh.Lab.,1968,32(9):907.[15]S.YLuo,Z.W.Wang.StudiesofehiPPil:gmeel1anismsfordiei11gsilieonwaferslJ8.Adva,leedmanufaeturingtec 恤 olgy,2008.35:1206 一 1218.指導(dǎo)教師意見(jiàn)(對(duì)課題的深度、廣度及工作量的意見(jiàn))指導(dǎo)教師: 年 月 日 注:1)正文:宋體小四號(hào)字,行距 20 磅,單面打??;其他格式與畢業(yè)論文要求相同。2)開(kāi)題報(bào)告由各系集中歸檔保存。3)開(kāi)題報(bào)告引用參考文獻(xiàn)注釋格式可參照附錄 E“畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)參考文獻(xiàn)樣式”執(zhí)行。不進(jìn)入正文,可以作為附件放在開(kāi)題報(bào)告后面。所在系審查意見(jiàn):系主管領(lǐng)導(dǎo): 年 月 日 院(系)機(jī)電工程學(xué)院 專(zhuān)業(yè) 機(jī)械設(shè)計(jì)制造及其自動(dòng)化 班 姓名 學(xué)號(hào) 1.畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目: 劃片機(jī)的總體規(guī)劃及 Y、Z 軸設(shè)計(jì) 2.題目背景和意義:IC 封 裝 是 半 導(dǎo) 體 三 大 產(chǎn) 業(yè) 之 一 (器 件 設(shè) 計(jì) 、 晶 片 制 作 和 器 件 封 裝 )。 其 后 封 裝 工 序主 要 包 括 :劃 片 、 粘 片 、 超 聲 球 焊 、 封 裝 、 檢 測(cè) 、 包 裝 。 劃 片 機(jī) 是 IC 后 封 裝 線 上 的 第一 道 關(guān) 鍵 設(shè) 備 ,其 作 用 是 把 制 作 好 的 晶 片 切 割 成 單 元 器 件 ,為 下 一 步 單 元 晶 片 粘 接 做 好準(zhǔn) 備 。 劃 片 機(jī) 切 割 晶 片 的 規(guī) 格 一 般 為 3-6 晶 片 ,單 元 晶 片 的 外 型 一 般 為 矩 形 或 多 邊 形 。目 前 ,我 國(guó) 的 半 導(dǎo) 體 封 裝 設(shè) 備 (如 劃 片 機(jī) 、 粘 片 機(jī) 、 金 絲 球 焊 機(jī) 等 )還 主 要 從 美 國(guó) 、 日本 、 新 加 坡 引 進(jìn) 。 為 了 促 進(jìn) IC 封 裝 設(shè) 備 的 國(guó) 產(chǎn) 化 ,本 課 題 組 開(kāi) 展 了 IC 封 裝 設(shè) 備 劃 片機(jī) 的 研 制 工 作 。 因此把“劃片機(jī)的總體規(guī)劃及 Y、 Z 軸設(shè)計(jì)”作為本科論文的課題,既有較大的學(xué)術(shù)價(jià)值,又有廣闊的應(yīng)用前景。 3.設(shè)計(jì)(論文) 的主要內(nèi)容(理工科含技術(shù)指標(biāo)):(1)通過(guò)調(diào)研和參閱相關(guān)資料,了解 IC 封裝及劃片機(jī)的工作原理; (2)完成原理方案設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)方案設(shè)計(jì),確定實(shí)施方案; (3)對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)的初步設(shè)計(jì),并完成相關(guān)的計(jì)算; (4)完成劃片機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu) Y、Z 軸進(jìn)行具體設(shè)計(jì);(Y 軸:有效行程大于 160mm,最小位移分辨率小于 2μm,步進(jìn)精度小于 4μm,全程累積誤差小于 5μm/160mm; Z 軸:最大行程30mm,重復(fù)定位精度小于 2μm。 ) ; (5)完成裝配圖和零件圖。 4.設(shè)計(jì)的基本要求及進(jìn)度安排(含起始時(shí)間、設(shè)計(jì)地點(diǎn)):(1)1-3 周:調(diào)研,通過(guò)查閱相關(guān)文獻(xiàn)和刊物,了解 IC 封裝及劃片機(jī)的工作原理,完成開(kāi)題報(bào)告。 (2)4-8 周:完成原理方案設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)方案設(shè)計(jì),確定擬實(shí)施的方案,完成英文資料翻譯。(3)9-13 周:對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)的初步設(shè)計(jì),并完成相關(guān)的計(jì)算;完成劃片機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu) Y、Z 軸進(jìn)行具體設(shè)計(jì);(4)14-18 周:完成設(shè)計(jì)圖紙,寫(xiě)出畢業(yè)論文,準(zhǔn)備答辯。 5.畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)的工作量要求① 實(shí)驗(yàn)(時(shí)數(shù)) *或?qū)嵙?xí)(天數(shù)): 工作時(shí)間 18 周,上機(jī) 30 機(jī)時(shí) ② 圖紙(幅面和張數(shù)) *: A0 圖紙不少于 3 張 ③ 其他要求: 外文翻譯字?jǐn)?shù):中文不少于 3000 字 ; 參考文獻(xiàn)篇數(shù):中文不少于 15 篇 ,英文不少于 3 篇 ; 論文字?jǐn)?shù):不少于 15000 字。 指導(dǎo)教師簽名: 年 月 日學(xué)生簽名: 年 月 日系(教研室)主任審批: 年 月 日說(shuō)明:1 本表一式二份,一份由學(xué)生裝訂入附件冊(cè),一份教師自留。2 帶*項(xiàng)可根據(jù)學(xué)科特點(diǎn)選填。 畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)開(kāi)題報(bào)告題目:劃片機(jī)的總體規(guī)劃及 Y、Z 軸設(shè)計(jì)系 別 專(zhuān) 業(yè) 班 級(jí) 姓 名 學(xué) 號(hào) 導(dǎo) 師 年 月 日開(kāi) 題 報(bào) 告 填 寫(xiě) 要 求1.開(kāi)題報(bào)告作為畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)答辯委員會(huì)對(duì)學(xué)生答辯資格審查的依據(jù)材料之一。此報(bào)告應(yīng)在指導(dǎo)教師指導(dǎo)下,由學(xué)生在畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)工作前期內(nèi)完成。2.開(kāi)題報(bào)告內(nèi)容必須按教務(wù)處統(tǒng)一設(shè)計(jì)的電子文檔標(biāo)準(zhǔn)格式(可從教務(wù)處網(wǎng)頁(yè)上下載)填寫(xiě)并打印(禁止打印在其它紙上后剪貼) ,完成后應(yīng)及時(shí)交給指導(dǎo)教師審閱。3.開(kāi)題報(bào)告字?jǐn)?shù)應(yīng)在 1500 字以上,參考文獻(xiàn)應(yīng)不少于 15 篇(不包括辭典、手冊(cè),其中外文文獻(xiàn)至少 3 篇) ,文中引用參考文獻(xiàn)處應(yīng)標(biāo)出文獻(xiàn)序號(hào), “參考文獻(xiàn)”應(yīng)按附件中 《參考文獻(xiàn) “注釋格式”》的要求書(shū)寫(xiě)。4.年、月、日的日期一律用阿拉伯?dāng)?shù)字書(shū)寫(xiě),例:“2008 年 11 月 26 日” 。5.開(kāi)題報(bào)告增加封面,封面格式:題目:宋體,加粗,二號(hào);系別等內(nèi)容格式:宋體,四號(hào),居中。畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)綜述(題目背景、研究意義及國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究情況)一、題目背景及研究意義IC 封裝是半導(dǎo)體三大產(chǎn)業(yè)之一(器件設(shè)計(jì)、晶片制作和器件封裝)。其后封裝工序主要包括:劃片、粘片、超聲球焊、封裝、檢測(cè)、包裝。劃片機(jī)是 IC 后封裝線上的第一道關(guān)鍵設(shè)備,其作用是把制作好的晶片切割成單元器件,為下一步單元晶片粘接做好準(zhǔn)備。劃片機(jī)切割晶片的規(guī)格一般為 3-6 晶片,單元晶片的外型一般為矩形或多邊形。目前,我國(guó)的半導(dǎo)體封裝設(shè)備(如劃片機(jī)、粘片機(jī)、金絲球焊機(jī)等)還主要從美國(guó)、日本、新加坡引進(jìn)。為了促進(jìn) IC 封裝設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化,本課題組開(kāi)展了IC 封裝設(shè)備劃片機(jī)的研制工作。因此把“劃片機(jī)的總體規(guī)劃及 Y、Z 軸設(shè)計(jì)”作為本科論文的課題,既有較大的學(xué)術(shù)價(jià)值,又有廣闊的應(yīng)用前景。二、國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀1、劃片技術(shù)的發(fā)展劃片技術(shù)是集成電路后封裝的一道工序,劃片機(jī)的劃片方法根據(jù)其發(fā)展過(guò)程可以分為三種:金剛石劃片、激光劃片和砂輪劃片。(1)金剛石劃片這是最早出現(xiàn)的劃片方法,是目前用得最少的方法,與劃玻璃的原理相同。使用鋒利的金剛石尖端,以 50 克左右的固定載荷劃出小片的分割線,再加上彎曲力矩使之分成小片。一般來(lái)說(shuō),金剛石劃片時(shí)線條寬度為 6 一 8μm 、深度為 5μm ,硅表面發(fā)生塑性變形,線條周?chē)形⒘鸭y等。如果劃片時(shí)出現(xiàn)切屑,掰片時(shí)就可能裂開(kāi),小片的邊緣又不整齊,分片就不能順利進(jìn)行。金剛石尖有圓錐形(l 點(diǎn)式)、四方錐形(4 點(diǎn)式)等。圓錐形的金剛石尖是采用其十二面體晶格上的(111軸,并將尖端加工成半徑 2 一 5 μm 的球面。劃片的成品率在很大程度上取決于金剛石尖端的加工精度及其鋒利性的保持情況。(2)激光劃片第二代劃片的方法是激光劃片。激光劃片就是將激光呈脈沖狀照射在硅片表面上,被光照的那一部分硅就會(huì)因吸收激光而被加熱到 10000℃的高溫,并在一瞬間即氣化或熔化了,使硅片留下溝槽,然后再沿溝槽進(jìn)行分開(kāi)的方法。激光劃片時(shí),硅粉會(huì)粘在硅片表面上,所以還必須對(duì)硅片上的灰塵進(jìn)行必要的處理。該方法劃硅片比金剛石劃片的成品率高,所以曾經(jīng)在一個(gè)時(shí)期內(nèi)替代了金剛石劃片。但激光劃片對(duì)工藝條件十分敏感。激光功率、劃片速度、焦點(diǎn)位置、氣流壓力等參數(shù)的波動(dòng)或變化都會(huì)影響劃片質(zhì)量,致使劃片深度尺寸不均勻,導(dǎo)致分片時(shí)容易碎片,降低成品率,增加了成本。同時(shí)激光劃片時(shí),高溫對(duì)熱組織區(qū)內(nèi)的材料也有很大的影響,從而影響到芯片的性能。但激光劃片相對(duì)于其他的劃片技術(shù)來(lái)說(shuō),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,在切割中和切割后芯片碎裂率少,無(wú)論單晶硅片薄厚,切口寬度均小于3μm,切口邊緣平直、精準(zhǔn)、光滑,能夠在每片晶圓上制作并切割出更多數(shù)量的芯片。(3)砂輪劃片第三代劃片機(jī)是砂輪劃片機(jī)。砂輪劃片機(jī)是利用高速運(yùn)轉(zhuǎn)的空氣靜壓主軸帶動(dòng)刀片,通過(guò)光柵尺和導(dǎo)軌系統(tǒng)的控制,將刀刃定位在加工材料上,最終形成具有一定深度和寬度的切口 [1]。砂輪劃片工藝質(zhì)量與主軸轉(zhuǎn)速、切割速度、刀片厚度等都有一定的關(guān)系。相對(duì)合理的主軸轉(zhuǎn)速能有效地控制刀片在隨主軸轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)的相對(duì)震動(dòng)、有利于刀片在切割時(shí)的徑向穩(wěn)定性,從而提高切割質(zhì)量。刀片的切割速度決定工作效率,如果切割速度不斷變大,在切割的過(guò)程中沿溝槽的刀具的速度也會(huì)變得不好控制。切割速度會(huì)受制于待加工材料的硬度,如硅晶圓表面材料的硬度直接決定切割速度。如果切割超硬材料時(shí)切割深度過(guò)大都不利于刀片的正常使用,并最終影響到刀片的壽命。三種劃片技術(shù)的比較如表 1 所示。由表 1 可以看出,砂輪劃片的加工速度、加工深度、加工寬度、加工效果等相對(duì)其他兩種加工技術(shù)具有突出的優(yōu)點(diǎn),因此砂輪劃片是目前的主流加工技術(shù)。表 1 加工工藝比較指標(biāo) 分類(lèi) 金剛石劃片 激光劃片 砂輪劃片加工速度 46mm/s 150mm/s 300mm/s加工深度 3~10μm ~100μm ~100μm加工寬度 3~10μm 20~25μm ?刀片厚度+10μm劃片效果 裂紋大 有熱損耗 只有微小裂紋成品率 60~70% 70~80% 98%噪音 小 大 較小其他 硅片厚度為小片尺寸的 1/4 以下有黏著灰塵的問(wèn)題 需要切削液、壓縮空氣2、劃片機(jī)的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀在國(guó)外,劃片機(jī)自七十年代初問(wèn)世以來(lái),發(fā)展非常迅速,應(yīng)用領(lǐng)域也越來(lái)越廣,品種也在不斷增加。剛開(kāi)始時(shí),只有日本、英國(guó)、美國(guó)三個(gè)國(guó)家的四、五個(gè)公司制造劃片機(jī),而如今俄羅斯、臺(tái)灣、中國(guó)大陸也都制造出了劃片機(jī),劃片機(jī)制造廠家己經(jīng)發(fā)展到十多個(gè)公司 [2]。目前,國(guó)外生產(chǎn)劃片機(jī)的廠商主要有:日本 DISCO、東京精密 TSK,以色列 ADT,以及英國(guó)流星 Loadpoint 公司最初生產(chǎn)的劃片機(jī)只是用來(lái)切割晶體管半導(dǎo)體硅片,只能切割最大為 3 英寸的硅片。而如今,它不僅可以切割硅片,還可以切割其它的薄、脆、硬材料,應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。日本 DISCO 公司生產(chǎn)的劃片機(jī)占世界劃片機(jī)銷(xiāo)量的 80%,代表著當(dāng)今劃片機(jī)的較高水平。該公司在 2002 年 12 月推出了 DFD636O 型劃片機(jī),該機(jī)最大劃片尺寸達(dá) 3O0mm(12 英寸),劃片槽寬度達(dá)到20μm 切割速度高達(dá) 600mm/s,定位精度最高達(dá) 0.003mm。JPsereezAssoeiateS 公司生產(chǎn)紫外(UV)激光劃片機(jī),可用于切割 300mm 直徑的單晶硅圓片,采用 355un 或 266nm的短脈沖 UV 激光光源,采用了高性能、超精確的氣動(dòng)操作臺(tái),獲得了較高的速度和加速度,斷面邊緣光滑平直,而且劃片槽僅有 2.5μm 寬。我國(guó)真正研制劃片機(jī)的時(shí)間較晚,基本上是從七十年代開(kāi)始的。1982 年我國(guó)研制出第一臺(tái)國(guó)產(chǎn)化的砂輪劃片機(jī),結(jié)束了當(dāng)時(shí)我國(guó)劃片機(jī)完全依賴(lài)進(jìn)口的局面。國(guó)產(chǎn)劃片機(jī)設(shè)備制造商主要有:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第 45 研究所、沈陽(yáng)儀表科學(xué)研究院、西安捷盛電子技術(shù)有限責(zé)任公司、上海富安工廠自動(dòng)化有限公司、武漢三工光電設(shè)備制造有限公司。我國(guó)的劃片機(jī)主要以中國(guó)電子科技集團(tuán)第 45 研究所為代表,該研究所從 1994 年開(kāi)始先后生產(chǎn)了 HP602 型(150mm)精密自動(dòng)劃片機(jī),該款劃片機(jī)采用恒力矩變頻分相調(diào)速技術(shù),可以減少圓片正反面的崩角情況并能夠提高芯片的抗折強(qiáng)度,從而提高了芯片的質(zhì)量,工作臺(tái)采用滾動(dòng)導(dǎo)軌;在此基礎(chǔ)上于 2004 年研制了 HP801 型(200mm)精密自動(dòng)劃片機(jī),在增大硅晶圓片一的直徑的同時(shí),也增加了硅晶圓片上芯片的數(shù)量,提高了芯片產(chǎn)出的效率,并達(dá)到了實(shí)用化,定位精度為士 10μm;而后又研制了 KS780 等型號(hào)的劃片機(jī)。沈陽(yáng)儀表科學(xué)研究院研制了 ZSHS 型自動(dòng)砂輪劃片機(jī),精度達(dá)到了士5μm μm /35Omm,切割晶圓的行程為 152.4mm,與當(dāng)時(shí)國(guó)際上 203.2mm 有很大的差距,切割速度為 150mm/S,與當(dāng)時(shí)的國(guó)外先進(jìn)的劃片速度 300mlm/s 還相差很大。目前,國(guó)產(chǎn)新型的雙軸 200mm(8 英寸)精密自動(dòng)劃片機(jī),也已進(jìn)入了實(shí)用化階段,劃片槽寬度達(dá)到 30~40μm。2010 年 1 月 3 日,蘇州天弘激光股份有限公司推出了其第一款晶圓激光劃片機(jī) TH 一 321 型激光劃片機(jī),采用高精度的兩維直線電機(jī)工作臺(tái)及直驅(qū)旋轉(zhuǎn)平臺(tái),劃片槽寬度降低到 3μm。武漢三工光電設(shè)備制造有限公司生產(chǎn)的晶圓激光劃片機(jī),采用數(shù)控的工作方式,最大線切害速度為 140mm/S,定位精度為士 10μm。從國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀來(lái)看,國(guó)內(nèi)劃片機(jī)的劃片尺寸、切割速度及定位精度還沒(méi)有達(dá)到國(guó)習(xí)際先進(jìn)的水平,劃片槽的寬度也與國(guó)外相差很大,所以對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行總體規(guī)劃并且對(duì)其 Y、Z 軸進(jìn)行設(shè)計(jì)具有重要的意義。三、主要研究?jī)?nèi)容及研究方案(1)通過(guò)調(diào)研和參閱相關(guān)資料,了解 IC 封裝及劃片機(jī)的工作原理; (2)完成原理方案設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)方案設(shè)計(jì),確定實(shí)施方案; (3)對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)的初步設(shè)計(jì),并完成相關(guān)的計(jì)算; (4)完成劃片機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu) Y、Z 軸進(jìn)行具體設(shè)計(jì);(Y 軸:有效行程大于 160mm,最小位移分辨率小于 2μm,步進(jìn)精度小于 4μm,全程累積誤差小于 5μm/160mm; Z 軸:最大行程 30mm,重復(fù)定位精度小于 2μm。 ) ; (5)完成裝配圖和零件圖。四、本課題研究的重點(diǎn)及難點(diǎn),前期已開(kāi)展工作根據(jù)劃片的工藝要求,劃片機(jī)應(yīng)具有高剛度、高可靠性、高穩(wěn)定性、高定位精度等,而劃片機(jī)的運(yùn)動(dòng)方案有許多種,每種方案各有其優(yōu)缺點(diǎn)。因此,在深入分析劃片機(jī)的工藝要求、對(duì)比不同的運(yùn)動(dòng)方案的特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,找到影響劃片質(zhì)量的關(guān)鍵點(diǎn),然后確定總體方案,對(duì)提高劃片機(jī)的總體性能具有至關(guān)重要的作用,也是研究的難點(diǎn)所在。在確定了總體方案之后,根據(jù)本課題的任務(wù)要求,對(duì) Y 軸和 Z 軸進(jìn)行設(shè)計(jì)。Y 軸系統(tǒng)的作用是帶動(dòng)高速主軸做切割進(jìn)給運(yùn)動(dòng),即按單元晶片的規(guī)格尺寸分步運(yùn)動(dòng)。X軸完成一個(gè)往復(fù)運(yùn)動(dòng)后,Y 軸導(dǎo)軌帶動(dòng)高速主軸運(yùn)行一個(gè)單元晶片尺寸距離,以便完成下一行的切割。對(duì) Y 軸的要求是結(jié)構(gòu)剛度高,運(yùn)行平穩(wěn),位移分辨率要高(2Lm),導(dǎo)軌全程累積誤差要小(5Lm/160mm) [3]。因此,Y 軸對(duì)傳動(dòng)精度和定位精度要求比較高,如何確定的 Y 軸的傳動(dòng)方案是本課題的研究重點(diǎn)及難點(diǎn)。Z 軸系統(tǒng)的作用是在劃片過(guò)程中帶動(dòng)高速主軸做抬刀落刀運(yùn)動(dòng)。X 軸帶動(dòng)工作臺(tái)往復(fù)運(yùn)動(dòng)一次,Z 軸帶動(dòng)劃片刀也上下抬落一次,完成對(duì)單元晶片的分段切割。對(duì) Z 軸的要求是重復(fù)定位精度要高,以保證對(duì)晶片切割深度的一致性。因此,如何確定 Z 軸的傳動(dòng)方案,是本課題的研究重點(diǎn)及難點(diǎn)。針對(duì)課題要求,前期主要是查閱相關(guān)文獻(xiàn),了解劃片機(jī)的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀及國(guó)內(nèi)外的研究方法,調(diào)研了國(guó)內(nèi)外劃片機(jī)的性能特點(diǎn),了解了劃片機(jī)的工作原理,明確了劃片機(jī)的性能要求,為下一步的設(shè)計(jì)工作打下了基礎(chǔ)。五、工作方案(1)1-3 周:調(diào)研,通過(guò)查閱相關(guān)文獻(xiàn)和刊物,了解 IC 封裝及劃片機(jī)的工作原理,完成開(kāi)題報(bào)告。 (2)4-8 周:完成原理方案設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)方案設(shè)計(jì),確定擬實(shí)施的方案,完成英文資料翻譯。 (3)9-13 周:對(duì)劃片機(jī)進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)的初步設(shè)計(jì),并完成相關(guān)的計(jì)算;完成劃片機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu) Y、Z 軸進(jìn)行具體設(shè)計(jì);(4)14-18 周:完成設(shè)計(jì)圖紙,寫(xiě)出畢業(yè)論文,準(zhǔn)備答辯。六、參考文獻(xiàn)[1]姚道俊.砂輪劃片工藝的實(shí)踐與提高[J].集成電路通訊,2005,(6):35 一 37.[2]袁惠珠.精密砂輪劃片機(jī)的設(shè)計(jì)及精度分析 7D].沈陽(yáng):沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué),2004.[3]馮曉國(guó),張景和,張乘嘉,等.IC 封裝設(shè)備劃片機(jī)的研制[J].儀器儀表學(xué)報(bào),2003,(4):50 一 52.[4]謝中生.DISCO 會(huì)社與其具有世界領(lǐng)先水平的劃片機(jī)[J].電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備,1996,(4):40 一 41.[5]袁慧珠.劃片機(jī)定位精度的設(shè)計(jì)[J].儀表技術(shù)與傳感器,2003,(7):51 一 52.[6]候飛.劃片機(jī)工作臺(tái)精確定位控制技術(shù)研究[D].西安,西安工業(yè)大學(xué),2012.[7]楊云龍,劉金榮.全自動(dòng)劃片機(jī)自動(dòng)識(shí)別對(duì)準(zhǔn)技術(shù)的研究[J].電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備,2001,(110):46 一 4.[8]俞忠飪.我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和展望[J].微細(xì)加工技術(shù),1998,(1):1 一6.[9]宮崎.Ic 制造上諸多問(wèn)題[J].機(jī)械研究,1969,21(2):69 一 73.[10]王春明,胡倫驥等.激光切割前沿輻射與切割質(zhì)量關(guān)系的初探「J〕.中國(guó)機(jī)械工程,2001,(7):312.[11]張明明,白宇.ZSHS 自動(dòng)砂輪劃片機(jī)控制程序設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)〔Jl.電子工業(yè)專(zhuān)業(yè)設(shè)備:2008(162):49 一 54[12]王明權(quán).HP 一 602 型精密自動(dòng)劃片機(jī)誤差分析與精度分配[J].電子工業(yè)專(zhuān)業(yè)設(shè)備,1999(2):18 一 23.[13]SeamanFD.MaterialworkingLasersintheUnitedStates=J〕.Proe.eonf.助on,1983:120 一 27.[14]0.Imanakaetal:ObservationofChiPRemovingProeessduringGrindingbyaMiero一 FrachTeehnique,Bull.Electroteeh.Lab.,1968,32(9):907.[15]S.YLuo,Z.W.Wang.StudiesofehiPPil:gmeel1anismsfordiei11gsilieonwaferslJ8.Adva,leedmanufaeturingtec 恤 olgy,2008.35:1206 一 1218.指導(dǎo)教師意見(jiàn)(對(duì)課題的深度、廣度及工作量的意見(jiàn))指導(dǎo)教師: 年 月 日 注:1)正文:宋體小四號(hào)字,行距 20 磅,單面打??;其他格式與畢業(yè)論文要求相同。2)開(kāi)題報(bào)告由各系集中歸檔保存。3)開(kāi)題報(bào)告引用參考文獻(xiàn)注釋格式可參照附錄 E“畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)參考文獻(xiàn)樣式”執(zhí)行。不進(jìn)入正文,可以作為附件放在開(kāi)題報(bào)告后面。所在系審查意見(jiàn):系主管領(lǐng)導(dǎo): 年 月 日