高考物理選修知識(shí)點(diǎn)鞏固練習(xí)_磁場(chǎng) 復(fù)習(xí)與鞏固 提高

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1、 【鞏固練習(xí)】 一、選擇題: 1.一個(gè)松弛的螺旋線圈如圖所示,當(dāng)線圈通有電流I時(shí),線圈中將出現(xiàn)的現(xiàn)象是( ) A.軸向收縮,徑向變大 B.軸向收縮,徑向收縮 C.軸向伸長(zhǎng),徑向變大 D.軸向伸長(zhǎng),徑向收縮 2.如圖所示,始終靜止在斜面上的條形磁鐵P,當(dāng)其上方固定的水平長(zhǎng)直導(dǎo)線L中通以垂直紙面向外的電流時(shí),斜面對(duì)磁體的彈力N和摩擦力f的大小變化是( ) A.N和f都增大 B.N和f都減小 C.N增大,f減小 D.N減小,f增大 3.如圖所以,固定不動(dòng)的絕緣直導(dǎo)線mn和可以自由移

2、動(dòng)的矩形線框abcd位于同一平面內(nèi),mn與ad、bc邊平行且離ad邊較近。當(dāng)導(dǎo)線mn中通以向上的電流,線框中通以順時(shí)針方向的電流時(shí),線框的運(yùn)動(dòng)情況是( ) A.向左運(yùn)動(dòng) B.向右運(yùn)動(dòng) C.以mn為軸轉(zhuǎn)動(dòng) D.靜止不動(dòng) 4.電子與質(zhì)子速度相同,都從O點(diǎn)射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū),則圖中畫出的四段圓弧,哪兩個(gè)是電子和質(zhì)子運(yùn)動(dòng)的可能軌跡(  )    A.a(chǎn)是電子運(yùn)動(dòng)軌跡,d是質(zhì)子運(yùn)動(dòng)軌跡   B.b是電子運(yùn)動(dòng)軌跡,c是質(zhì)子運(yùn)動(dòng)軌跡   C.c是電子運(yùn)動(dòng)軌跡,b是質(zhì)子運(yùn)動(dòng)軌跡   D.d是電子運(yùn)動(dòng)軌跡,a是質(zhì)子運(yùn)動(dòng)軌跡 5.如圖所示,長(zhǎng)方形abcd長(zhǎng)ad=0.

3、6 m,寬ab=0.3 m,O、e分別是ad、bc的中點(diǎn),以ad為直徑的半圓內(nèi)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)(邊界上無(wú)磁場(chǎng)),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.25 T。一群不計(jì)重力、質(zhì)量、電荷量的帶電粒子以速度 沿垂直ad方向且垂直于磁場(chǎng)射入磁場(chǎng)區(qū)域(  )   A.從Od 邊射入的粒子,出射點(diǎn)全部分布在Oa邊   B.從aO邊射入的粒子,出射點(diǎn)全部分布在ab邊   C.從Od 邊射入的粒子,出射點(diǎn)分布在Oa邊和ab邊?   D.從aO邊射入的粒子,出射點(diǎn)分布在ab邊和bc邊 6.如圖所示,始終靜止在斜面上的條形磁鐵P,當(dāng)其上方固定的水平長(zhǎng)直導(dǎo)線L中通以垂直紙面向外的電流時(shí),斜面對(duì)磁體的彈力FN和

4、摩擦力f的大小變化是(  )    A.FN和f都增大   B.FN和f都減小   C.FN增大,f減小   D.FN減小,f增大 7.如圖所示,勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向豎直向下,勻強(qiáng)磁場(chǎng)的方向垂直紙面向里,三個(gè)油滴a、b、c帶有等量同種電荷,其中a靜止,b向右做勻速運(yùn)動(dòng),c向左做勻速運(yùn)動(dòng),比較它們的重力Ga、Gb、Gc間的關(guān)系,正確的是(  )    A.Ga最大   B.Gb最大   C.Gc最大   D.Gb最小 8.如圖所示,虛線框內(nèi)有方向正交的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng),一離子束垂直于電場(chǎng)和磁場(chǎng)方向飛入此區(qū)域,恰好做勻速直線運(yùn)動(dòng),從O點(diǎn)離開此區(qū)域。如果僅有電場(chǎng),離子將從

5、a點(diǎn)飛離此區(qū)域,經(jīng)歷時(shí)間為t1,飛離速度為v1;如果僅有磁場(chǎng),飛離時(shí)速度為v2,則下列說(shuō)法正確的是(  )    A.v1>v2? B.a(chǎn)O>bO   C.t1>t2  D.以上都不正確 二、填空題: 1.將長(zhǎng)為1 m的導(dǎo)線ac從中點(diǎn)b折成如圖所示的形狀,放入B=0.08 T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,abc平面與磁場(chǎng)垂直。若在導(dǎo)線abc中通入25 A的直流電,則整個(gè)導(dǎo)線所受安培力大小為________N。 2.如圖所示,在正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B和勻強(qiáng)電場(chǎng)E中,有一豎直的長(zhǎng)絕緣管,管內(nèi)有一質(zhì)量為m、帶電荷量為-q的小球,球與管壁之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,磁場(chǎng)和電場(chǎng)足夠大,則小球運(yùn)動(dòng)的最大加速度

6、為________;在有最大加速度時(shí)的速度為________;小球運(yùn)動(dòng)的最小加速度為________,在有最小加速度時(shí)的速度為________。 三、計(jì)算題: 1.核聚變反應(yīng)需幾百萬(wàn)度高溫,為把高溫條件下高速運(yùn)動(dòng)的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應(yīng)),可采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖所示,在一個(gè)環(huán)狀區(qū)域內(nèi)加上勻強(qiáng)磁場(chǎng)B,“約束”在中空區(qū)域中的高速帶電粒子具有各個(gè)方向的速度,其中在中空區(qū)域邊緣處沿切線方向射入磁場(chǎng)的帶電粒子最容易穿越磁場(chǎng)的外邊緣。設(shè)環(huán)狀磁場(chǎng)的內(nèi)徑R1=0.5 m,外半徑R2=1.0 m,若被“約束”的帶電粒子的比荷,速度v可達(dá)1×107 m / s。

7、為使所有被約束的帶電粒子都不能穿越磁場(chǎng),則磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B至少多大? 2.在傾角的斜面上,固定一金屬框,寬L=0.25 m,接入電動(dòng)勢(shì)E=12 V,內(nèi)阻不計(jì)的電池,垂直框面放有一根質(zhì)量m=0.2 kg的金屬棒ab,它與框架的動(dòng)摩擦因數(shù),整個(gè)裝置放在磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.8 T,垂直框面向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)(如圖)。當(dāng)調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器R的阻值在什么范圍內(nèi)時(shí),可使金屬棒靜止在框架上?框架與棒的電阻不計(jì),g取10 m / s2。 3.如圖所示,與水平面成傾角為的絕緣正方形斜面abcd上放有一質(zhì)量為m=0.01 kg,帶電荷量的小滑塊,與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù),整個(gè)裝置處在垂直于斜面向上的勻強(qiáng)磁

8、場(chǎng)中,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B=0.4 T,滑塊在a點(diǎn)具有沿ac方向、大小v=30 m / s的初速度,g取10 m / s2。要使滑塊由a點(diǎn)沿直線運(yùn)動(dòng)到達(dá)c點(diǎn),應(yīng)在絕緣斜面內(nèi)加一個(gè)怎樣的恒定勻強(qiáng)電場(chǎng)? 4.下圖是某裝置的垂直截面圖,虛線A1A2是垂直截面與磁場(chǎng)區(qū)邊界面的交線,勻強(qiáng)磁場(chǎng)分布在A1A2的右側(cè)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.4 T,方向垂直紙面向外,A1A2與垂直截面上的水平線夾角為45°。在A1A2左側(cè),固定的薄板和等大的擋板均水平放置,它們與垂直截面交線分別為S1、S2,相距L=0.2 m。在薄板上P處開一小孔,P與A1A2線上點(diǎn)D的水平距離為L(zhǎng)。在小孔處裝一個(gè)電子快門。起初快門

9、開啟,一旦有帶正電微粒剛通過(guò)小孔,快門立即關(guān)閉,此后每隔T=3.0×10-3 s開啟一次并瞬間關(guān)閉。從S1S2之間的某一位置水平發(fā)射一速度為v0的帶正電微粒,它經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域后入射到P處小孔。通過(guò)小孔的微粒與檔板發(fā)生碰撞而反彈,反彈速度大小是碰前的0.5倍。 (1)經(jīng)過(guò)一次反彈直接從小孔射出的微粒,其初速度v0應(yīng)為多少? (2)求上述微粒從最初水平射入磁場(chǎng)到第二次離開磁場(chǎng)的時(shí)間。(忽略微粒所受重力影響,碰撞過(guò)程無(wú)電荷轉(zhuǎn)移。已知微粒的荷質(zhì)比。只考慮紙面上帶電微粒的運(yùn)動(dòng)。) 【答案與解析】 一、選擇題: 1.A 解析:同向電流相互吸引,異向電流相互排斥. 2.A

10、解析:如圖所示,根據(jù)左手定則可判定導(dǎo)線所受安培力方向斜向右上方,由牛頓第三定律,電流對(duì)磁鐵的作用力斜向左下方,由于磁鐵仍然保持靜止,故FN、f均增大.故選A項(xiàng). 3.B 解析:ad邊的電流在mn電流的磁場(chǎng)中受到向右的吸引力,bc邊中的電流與mn中電流方向相反,受到向右的排斥力,所以線框受到向右的合力而向右運(yùn)動(dòng),B選項(xiàng)正確。 4.C 解析:帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑在電荷量相同的情況下,質(zhì)量大的半徑大,結(jié)合左手定則可知,C選項(xiàng)正確。 5.D 解析:由左手定則可知粒子射入后向上偏轉(zhuǎn),軌跡半徑。若整個(gè)矩形區(qū)域都有磁場(chǎng),從O點(diǎn)射入的粒子必從b點(diǎn)射出,在題給磁場(chǎng)中粒子的運(yùn)動(dòng)

11、軌跡如圖所示,出射點(diǎn)必落在be邊。 6.A 解析:直導(dǎo)線通電后會(huì)對(duì)磁鐵產(chǎn)生作用力,但導(dǎo)線對(duì)磁鐵作用力的方向不好確定,可先求磁鐵磁場(chǎng)對(duì)電流的作用力的方向,由牛頓第三定律即可求得電流對(duì)磁鐵作用力的方向,而后分析磁鐵受力即可確定其所受FN、f的變化情況。 當(dāng)導(dǎo)線中通以電流時(shí),磁鐵的磁場(chǎng)對(duì)電流有作用力,如圖所示,根據(jù)左手定則可判定導(dǎo)線所受安培力方向斜向右上方,由牛頓第三定律,電流對(duì)磁鐵的作用力斜向左下方,由于磁鐵仍然保持靜止,故FN、f均增大。故選A項(xiàng)。 7.CD 解析:據(jù)F合=0可知:a帶負(fù)電。顯然,b、c也帶負(fù)電,所以b所受洛倫茲力方向豎直向下,c所受洛倫茲力方向豎直向上。 設(shè)

12、三個(gè)油滴的電荷量為q,電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)為E,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,運(yùn)動(dòng)電荷的速度為v。 據(jù)F合=0得:對(duì)a有:; 對(duì)b有:; 對(duì)c有:。 所以有。 8.A 解析:只有電場(chǎng)時(shí),電場(chǎng)力對(duì)粒子做功,其動(dòng)能增加;,。只在磁場(chǎng)時(shí),洛倫茲力對(duì)粒子不做功,其功能不變。,,與大小無(wú)法比較。 二、填空題: 1. 解析:折線abc受力等效于a和c連線受力,由幾何知識(shí)可知。。 2.g 0 解析:當(dāng)qE=qvB時(shí),摩擦力為0。此時(shí)加速度最大,且ax=g,;當(dāng)時(shí),合力為0,加速度最小也為0,此時(shí)速度最大,且。 三、計(jì)算題: 1.1 T 解析:當(dāng)帶電粒子以最大速度v=1×107 m / s

13、沿中空區(qū)域與內(nèi)圓相切方向射入磁場(chǎng)且軌跡與外圓相切時(shí),恰不能穿越磁場(chǎng)。則以速度v沿各個(gè)方向射入該磁場(chǎng)區(qū)的帶電粒子都不能穿越磁場(chǎng)。 如圖所示, 又, 使粒子不穿出磁場(chǎng)時(shí)滿足R≤r,即 。 2.1.6Ω≤R≤4.8Ω 解析:當(dāng)變阻器R取值較大時(shí),I較小,安培力F較小,在金屬棒重力分力mgsin作用下使棒有沿框架下滑趨勢(shì),框架對(duì)棒的摩擦力沿框面向上,如圖甲所示。金屬棒剛好不下滑時(shí)滿足平衡條件。 。 得 。 當(dāng)變阻器R的取值較小時(shí),I較大,安培力F較大,會(huì)使金屬棒產(chǎn)生沿框面上滑趨勢(shì)。因此,框架對(duì)棒的摩擦力F2沿框面向下,如圖乙所示。金屬棒剛好不上滑時(shí)滿足平衡條

14、件。 得 所以滑動(dòng)變阻器R的取值范圍為。 3. 與速度方向垂直,沿斜面斜向上方 解析:要使滑塊沿直線到達(dá)c點(diǎn),滑塊必須做勻速直線運(yùn)動(dòng)。 滑動(dòng)在斜面所在的平面內(nèi)受力如圖所示,滑塊重力沿斜面向下的分力為。 G1在x方向的分力為 。 滑塊受到的滑動(dòng)摩擦力為。 x方向上:f=G1x。由于滑塊做勻速直線運(yùn)動(dòng),其受力平衡,設(shè)所加電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)為E,則在y方向上有:,代入數(shù)據(jù)解得:。 電場(chǎng)的方向:與速度方向垂直,沿斜面斜向上。 4.(1)100 m / s (2)2.8×10-2 s 解析:(1)如下圖所示,設(shè)帶正電微粒在S1S2之間任意點(diǎn)Q以水平速度v0進(jìn)入磁場(chǎng),

15、微粒受到的洛倫茲力為f,在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為r,有: ① ② 由①②得: 欲使微粒能進(jìn)入小孔,半徑r的取值范圍為: ③ 代入數(shù)據(jù)得: 欲使進(jìn)入小孔的微粒與擋板一次相碰返回后能通過(guò)小孔,還必須滿足條件: 其中n=1,2,3…… ④ 由①②③④可知,只有n=2滿足條件,即有:v0=100 m / s ⑤ (2)設(shè)微粒在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T0,從水平進(jìn)入磁場(chǎng)到第二次離開磁場(chǎng)的總時(shí)間為t,設(shè)t1、t4分別為帶電微粒第一次、第二次在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間,第一次離開磁場(chǎng)運(yùn)動(dòng)到擋板的時(shí)間為t2,碰撞后再返回磁場(chǎng)的時(shí)間為t3,運(yùn)動(dòng)軌跡如上圖所示,則有: ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩

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