《材料物理性能》測(cè)試題匯

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1、《材料物理性能》測(cè)試卷 1、利用熱膨脹曲線確定組織轉(zhuǎn)變臨界點(diǎn)通常采取的兩種方法是： 、 2、列舉三種你所知道的熱分析方法： 、 、 3、磁各向異性一般包括、 、等。 4、熱電效應(yīng)包括效應(yīng)、效應(yīng)、效應(yīng)，半導(dǎo)體制冷利用的是效應(yīng)。 5、產(chǎn)生非線性光學(xué)現(xiàn)象的三個(gè)條件是、 、 。 6、激光材料由和組成，前者的主要作用是為后者提供一個(gè)合適的晶格場(chǎng)。 7、壓電功能材料一般利用壓電材料的功能、功能、功能、功能或功能。 8、拉伸時(shí)彈性比功的計(jì)算式為，從該式看，提高彈性比功的途徑有二：或，作為減振或儲(chǔ)能元件，應(yīng)具有彈性比功。 9、粘著磨損的形貌特征是，磨粒磨損的形貌特征是。 10、材料在恒變形

2、的條件下，隨著時(shí)間的延長，彈性應(yīng)力逐漸的現(xiàn)象稱為應(yīng)力松弛，材料抵抗應(yīng)力松弛的能力稱為。 1、導(dǎo)溫系數(shù)反映的是溫度變化過程中材料各部分溫度趨于一致的能力。 （） 2、只有在高溫且材料透明、半透明時(shí)，才有必要考慮光子熱導(dǎo)的貢獻(xiàn)。 （） 3、原子磁距不為零的必要條件是存在未排滿的電子層。 （ ） 4、量子自由電子理論和能帶理論均認(rèn)為電子隨能量的分布服從 FD分布。（） 5、由于晶格熱振動(dòng)的加劇，金屬和半導(dǎo)體的電阻率均隨溫度的升高而增大。（ ） 6、直流電位差計(jì)法和四點(diǎn)探針法測(cè)量電阻率均可以消除接觸電阻的影響。（ ） 7、由于嚴(yán)格的對(duì)應(yīng)關(guān)系，材料的發(fā)射光譜等于其吸收光譜。 （） 8、

3、凡是鐵電體一定同時(shí)具備壓電效應(yīng)和熱釋電效應(yīng)。 （ ） 9、硬度數(shù)值的物理意義取決于所采用的硬度實(shí)驗(yàn)方法。 （） 10、對(duì)于高溫力學(xué)性能，所謂溫度高低僅具有相對(duì)的意義。 （ ） 1、關(guān)于材料熱容的影響因素，下列說法中不正確的是 （ ） A 熱容是一個(gè)與溫度相關(guān)的物理量，因此需要用微分來精確定義。 B 實(shí)驗(yàn)證明，高溫下化合物的熱容可由柯普定律描述。 C 德拜熱容模型已經(jīng)能夠精確描述材料熱容隨溫度的變化。 D 材料熱容與溫度的精確關(guān)系一般由實(shí)驗(yàn)來確定。 2、 關(guān)于熱膨脹，下列說法中不正確的是 A 各向同性材料的體膨脹系數(shù)是線膨脹系數(shù)的三倍。 B 各向異性材料的體膨脹系數(shù)等于三個(gè)晶軸

4、方向熱膨脹系數(shù)的加和。 C 熱膨脹的微觀機(jī)理是由于溫度升高，點(diǎn)缺陷密度增高引起晶格膨脹。 D 由于本質(zhì)相同，熱膨脹與熱容隨溫度變化的趨勢(shì)相同。 3、下面列舉的磁性中屬于強(qiáng)磁性的是 （ ） A 順磁性 B 亞鐵磁性 C 反鐵磁性 D 抗磁性 4、關(guān)于影響材料鐵磁性的因素，下列說法中正確的是 （ ） A溫度升高使得 M Br、比均降低。 B 溫度升高使得 M、R降低，比升高。 C冷塑性變形使得和%均升局。d冷塑性變形使得和汽均降低。 5、下面哪種效應(yīng)不屬于半導(dǎo)體敏感效應(yīng)。 （ ） A 磁敏效應(yīng) B 熱敏效應(yīng) C 巴克豪森效應(yīng) D 壓敏效應(yīng) 6、關(guān)于影響材料導(dǎo)電性的因素，下列說法

5、中正確的是 （ ） A 由于晶格振動(dòng)加劇散射增大，金屬和半導(dǎo)體電阻率均隨溫度上升而升高。 B 冷塑性變形對(duì)金屬電阻率的影響沒有一定規(guī)律。 C “熱塑性變形＋退火態(tài)的電阻率”的電阻率高于“熱塑性變形＋淬火態(tài)” D 一般情況下，固溶體的電阻率高于組元的電阻率。 7、下面哪種器件利用了壓電材料的熱釋電功能（ ） A 電控光閘 B 紅外探測(cè)器 C 鐵電顯示器件 D 晶體振蕩器 8、下關(guān)于鐵磁性和鐵電性，下面說法中不正確的是 （ ） A 都以存在疇結(jié)構(gòu)為必要條件 B 都存在矯頑場(chǎng) C 都以存在疇結(jié)構(gòu)為充分條件 D 都存在居里點(diǎn) 9、下列硬度實(shí)驗(yàn)方法中不屬于靜載壓入法的是 （ ）

6、 A布氏硬度 B 肖氏硬度 C 洛氏硬度 D 顯微硬度 10、關(guān)于高溫蠕變性能，下列說法中不正確的是 （） A蠕變發(fā)生的機(jī)理與應(yīng)力水平無關(guān)。 B 粗化晶粒是提高鋼持久強(qiáng)度的途徑之一。 C松弛穩(wěn)定性可以評(píng)價(jià)材料的高溫預(yù)緊能力。 D蠕變的熱激活能與材料的化學(xué)成分有關(guān)。

7、 四、簡答題（每題 6分，共30分）： 1、以杜隆-珀替定律為例，簡要回答熱容模型的推導(dǎo)步驟。 2、直接交換作用是如何解釋自發(fā)磁化現(xiàn)象的？ 3、什么是霍耳效應(yīng)，簡要回答其在電學(xué)性能中的應(yīng)用。 4、如何理解反射系數(shù)和折射率的關(guān)系？ 5、以BaTiO3晶體為例，簡要說明熱運(yùn)動(dòng)引起的自發(fā)極化。 鐵磁性材料的技術(shù)磁化過程分為哪幾個(gè)階段，請(qǐng)用簡圖表示并用文字簡單說明各階段的含義，指出如何從該圖求得自發(fā)磁化強(qiáng)度。 壓電體：某些電介質(zhì)施加機(jī)械力而引起它們內(nèi)部正負(fù)電荷中心相對(duì)位移， 產(chǎn)生極化，從而導(dǎo)致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷。 在一定應(yīng)力范圍內(nèi)，機(jī)械力與電荷呈線性可逆關(guān)系這類物質(zhì)

8、 導(dǎo)體：在外電場(chǎng)的作用下，大量共有化電子很易獲得能量，集體定向流動(dòng)形成電流的物體 半導(dǎo)體：能帶結(jié)構(gòu)的滿帶與空帶之間也是禁帶，但是禁帶很窄，導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間的物體 絕緣體：在外電場(chǎng)的作用下，共有化電子很難接受外電場(chǎng)的能量，難以導(dǎo)通電流的物體 熱電效應(yīng)：當(dāng)材料存在電位差時(shí)會(huì)產(chǎn)生電流，存在溫度差時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱流的這種現(xiàn)象 電光效應(yīng)：鐵電體的極化能隨 E而改變，因而晶體的折射率也將隨 E改變，這種由外電場(chǎng)引起晶體折射率的變化 一般吸收：在光學(xué)材料中，石英對(duì)所有可見光幾乎都透明的，在紫外波段也有很好的透光性能，且吸收系數(shù)不變的這種現(xiàn)象 選擇吸收：對(duì)于波長范圍為 3.5-5.0 口的紅

9、外光卻是不透明的，且吸收系數(shù)隨波長劇烈變化的這種現(xiàn)象 發(fā)光效率：發(fā)光體把受激發(fā)時(shí)吸收的能量轉(zhuǎn)換為光能的能力 受激輻射：當(dāng)一個(gè)能量滿足hv=E2-E1的光子趨近高能級(jí) E2的原子時(shí)，入射的光子誘導(dǎo)高能級(jí)原子發(fā)射一個(gè)和自己性質(zhì)完全相同的光子 的過程 因瓦效應(yīng)：將與因瓦反常相關(guān)聯(lián)的其它物理特性的反常行為 簡答題 電介質(zhì)導(dǎo)電的概念、詳細(xì)類別、來源。 概念：并不是所有的電介質(zhì)都是理想的絕緣體，在外電場(chǎng)作用下，介質(zhì)中都會(huì)有一個(gè)很小的電流 類別：一類是源于晶體點(diǎn)陣中基本離子的運(yùn)動(dòng)，稱為離子固有電導(dǎo)或本征電導(dǎo)，這種電導(dǎo)是熱缺陷形成的，即是由離子自身隨著熱運(yùn)動(dòng) 的加劇而離開晶格點(diǎn)陣形成。另一類是源

10、于結(jié)合力較弱的雜質(zhì)離子的運(yùn)動(dòng)造成的，稱為雜質(zhì)電導(dǎo) 來源（導(dǎo)電方式）：電子與空穴（電子電導(dǎo)）；移動(dòng)額正負(fù)離子電導(dǎo)（離子電導(dǎo)） 。對(duì)于離子電導(dǎo)，必須需要指出的是：在較低場(chǎng)強(qiáng)下， 存在離子電導(dǎo)；在高場(chǎng)強(qiáng)下，呈現(xiàn)電子電導(dǎo)。 硬磁材料與軟磁材料各自的特點(diǎn)與區(qū)別。 軟磁材料：磁滯回線瘦長， 科高、Ms高、Hc小、Mr低，如變壓器鐵芯，常用材料如工業(yè)純鐵、硅鐵、鐵饃合金、鐵鉆合金等。 硬磁（永磁）材料：磁滯回線短粗， 科低、Hc與Mr高，常用材料如鐵氧體、鋁饃、稀土鉆、稀土饃合金等， 80年代發(fā)展的Nd-Fe-B 系合金 Mr/Ms接近于1的矩形回線材料即矩磁材料是理想的磁記錄材料。 請(qǐng)簡要

11、回答熱電性的三個(gè)基本熱電效應(yīng)。 電滯回線的各個(gè)物理量的名稱和物理意義。 極化強(qiáng)度P,外加電場(chǎng)E,飽和極化強(qiáng)度 Ps,剩余極化強(qiáng)度 磁滯回線的各個(gè)物理量的名稱和物理意義。 Hs稱為使磁化強(qiáng)度達(dá)到飽和時(shí)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度 降至0,必須施加一反向磁場(chǎng)— Hc, Hc稱為磁矯頑力， Pr,矯頑電場(chǎng)強(qiáng)度Ec Bs, Ms稱為飽和磁化強(qiáng)度, Mr稱為剩余 O 0 磁化強(qiáng)度，要使M 請(qǐng)基于磁化率給物質(zhì)磁性分類，并說明各類的物質(zhì)磁化難以程度。 簡要回答物質(zhì)磁性的來源 任何物質(zhì)由原子組成，原子又有帶正電的原子核（核子）和帶負(fù)日 動(dòng)，電子又沿一定軌道繞核子做循規(guī)運(yùn)動(dòng)。它們的這些

12、運(yùn)動(dòng)形成上 材料磁性的本源是：材料內(nèi)部電子的循規(guī)運(yùn)動(dòng)和自旋運(yùn)動(dòng)。 為什么自發(fā)磁化要分很多的磁疇。 交換能力圖使整個(gè)晶體自發(fā)磁化至飽和， 磁化方向沿著晶體易磁化方向， 就使交換能和各向異性能都達(dá)到最小值。 但必然在端面處產(chǎn)生 磁極，形成退磁化場(chǎng)，增加了退磁場(chǎng)能，從而將破壞已形成的自發(fā)磁化，相互作用的結(jié)果使大磁疇分割為小磁疇，即減少退磁能是分疇 的基本動(dòng)力。分疇后退磁能雖減小，但增加了疇壁能，使得不能無限制分疇。當(dāng)疇壁能與退磁能之和最小時(shí)，分疇停止。 （局部的退磁 場(chǎng)作用下，出現(xiàn)三角形疇（副疇，塞漏疇） ，與主磁疇路閉合，減少了退磁能，但增加各向異性能、磁彈性能） 正常情況下，為什么半

13、導(dǎo)體材料的電阻隨著溫度的升高而降低。 構(gòu)成。核子和電子本 ,從而產(chǎn)生磁矩。 身都在做自旋運(yùn) 113 3.7反的觸化曲線號(hào)速滯回蝮  載流子密度 32 Eg n Pi KiT exp 2kT 正常情況下, 2m- 1/ 丁 ne 為什么金屬的電導(dǎo)率隨著溫度的升高而降低。 金屬材料隨溫度升高，離子熱振動(dòng)的振幅增大，電子就愈易受到散射，可認(rèn)為W與溫度成正比，則p也與溫度成正比。 影響金屬導(dǎo)電性的因素有哪些。 為什么金屬化合物的導(dǎo)電性要低于單一金屬，請(qǐng)基于電離勢(shì)能方面的差異進(jìn)行簡要說明。 （1）晶體點(diǎn)陣畸變；（2）雜質(zhì)對(duì)理想晶體的破壞；（3）影響了能帶結(jié)構(gòu)，移動(dòng)費(fèi)

14、 M面及電子能態(tài)密度和有效電導(dǎo)電子數(shù)； （4）影響了 彈性常數(shù)。過渡金屬與貴金屬兩組元固溶時(shí)：電阻異常高，原因它們的價(jià)電子可以轉(zhuǎn)移到過渡金屬的尚未被填滿的 d-或f-殼層中，從 而使有效電導(dǎo)的電子數(shù)目減少。原子鍵合的方式發(fā)生了變化，其中至少一部分由金屬鍵變?yōu)楣矁r(jià)鍵獲離子鍵，使導(dǎo)電電子減少。 超導(dǎo)體為什么具有完全的抗磁性。 這是由于外磁場(chǎng)在試樣表面感應(yīng)產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電流，此電流由于所經(jīng)路徑電阻為 0,故它所產(chǎn)生的附加磁場(chǎng)總是與外磁場(chǎng)大小相等，方 向相反，因而使超導(dǎo)體內(nèi)的合成磁場(chǎng)為零。由于此感應(yīng)電流能將外磁場(chǎng)從超導(dǎo)體內(nèi)擠出，故稱抗磁感應(yīng)電流，又因其能起著屏蔽磁場(chǎng)的 作用，又稱屏蔽電流。

15、簡述本證硅的導(dǎo)電機(jī)理。 導(dǎo)電機(jī)理：在熱、光等外界條件的影響下，滿帶上的價(jià)電子獲得足夠的能量，躍過禁帶躍遷至空帶而成為自由電子，同時(shí)在滿帶中留下 電子空穴，自由電子和電子空穴在外加電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng)形成電流。 簡述硅中摻雜硼的導(dǎo)電機(jī)理（要有示意圖） 在本征半導(dǎo)體中，摻入 3價(jià)元素的雜質(zhì)（硼，鋁，錢，錮），就可以使晶體中空穴濃度大 價(jià)元素的原子只有 3個(gè)價(jià)電子，當(dāng)它頂替晶格中的一個(gè) 4價(jià)元素原子，并與周圍的 組成4個(gè)共價(jià)鍵時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子， 形成一個(gè)空位。因?yàn)椋?價(jià)元素形成的空位能級(jí)非 的能量，在價(jià)電子共有化運(yùn)動(dòng)中，相鄰的原子上的價(jià)電子就很容易來填補(bǔ)這個(gè)空位（較 上的空帶容易的多

16、），從而產(chǎn)生一個(gè)空穴。所以每一個(gè)三價(jià)雜質(zhì)元素的原子都能接受一個(gè) 帶中產(chǎn)生一個(gè)空穴。 簡述硅中摻雜神的導(dǎo)電機(jī)理（要有示意圖） 本征半導(dǎo)體中摻入 5價(jià)元素（磷，神，睇）就可使晶體中的自由電子的濃度極大地增加。 的原子有5個(gè)價(jià)電子，當(dāng)它頂替晶格中的一個(gè) 4價(jià)元素的原子時(shí)，余下了 1個(gè)價(jià)電子變 子的能級(jí)非?？拷鼘?dǎo)帶底，非常容易進(jìn)入導(dǎo)帶成為自由電子，因而導(dǎo)帶中的自由電子較 著增多，導(dǎo)電性能大幅度提高。 簡述介質(zhì)損耗的幾種形式及造成這幾種損耗的原因。 介質(zhì)損耗形式： 4個(gè) 大增加。因?yàn)? 硅（或錯(cuò)）原子 ?？拷鼉r(jià)帶頂 躍遷至禁帶以 價(jià)電子，而在價(jià) 因?yàn)?價(jià)元素 成多余的，此電 本征半導(dǎo)體

17、顯 1）電導(dǎo)（或漏導(dǎo)）損耗 實(shí)際使用的電介質(zhì)都不是理想的絕緣體，都或多或少地存在一些弱聯(lián)系帶電離子或空穴，在 導(dǎo)電流，發(fā)熱，產(chǎn)生損耗。 作用下產(chǎn)生漏 低場(chǎng)強(qiáng)下，存在離子電導(dǎo)（本征電導(dǎo)和雜質(zhì)電導(dǎo)） 2）極化損耗 方面：極化過程中離子要在 另一方面：松弛極化建立時(shí)間較長，極化跟不上外 ;高場(chǎng)強(qiáng)下，電子電導(dǎo)。 E作用下克服熱運(yùn)動(dòng)消耗能量，引起損耗。 E的變化（特別是交流頻率較高時(shí)），所造成的電矩往往滯后于 E, 極化引起的極化電荷未達(dá)最大，當(dāng) E開始減小時(shí)，極化仍繼續(xù)增至最大值后才開始減小，當(dāng) E為。時(shí)，極化尚未完全消除, E達(dá)最大時(shí), 當(dāng)夕卜 E反向 時(shí)，極板上遺留的

18、部分電荷中和了電源對(duì)極板充電的部分電荷，并以熱的形式散發(fā)，產(chǎn)生損耗。 3）電離損耗 又稱游離損耗，是氣體引起的，含氣孔的固體電介質(zhì)， 外E大于氣體電離所需的 E時(shí)，氣體發(fā)生電離吸收能量， 造成損耗。 剩余極化的形成過程。 鐵電疇在外電場(chǎng)作用下，總是要趨于與外電場(chǎng)方向一致，這稱為電疇的 轉(zhuǎn)向”。實(shí)際上電疇運(yùn)動(dòng)是通過在外電場(chǎng)作用下新疇的出現(xiàn)、發(fā) 展以及疇壁的移動(dòng)來實(shí)現(xiàn)的，而且由于轉(zhuǎn)向時(shí)引起較大內(nèi)應(yīng)力，所以這種轉(zhuǎn)向不穩(wěn)定。當(dāng)外加電場(chǎng)撤去后，則有小部分電疇偏離極化方 向，恢復(fù)原位，而大部分電疇則停留在新轉(zhuǎn)向的極化方向上，這叫剩余極化。 鐵電疇轉(zhuǎn)向過程，包括在疇壁附近的作用過程。 在外電場(chǎng)的

19、推動(dòng)下，電疇會(huì)隨外電場(chǎng)方向出現(xiàn)轉(zhuǎn)向運(yùn)動(dòng)。其運(yùn)動(dòng)過程分為新疇成核、發(fā)展和疇壁移動(dòng)來實(shí)現(xiàn)。 1 8 0。疇：反向電場(chǎng)一一（邊沿，缺陷處即成核）新疇 一一尖劈狀的新疇向前端發(fā)展（因1 8 0。疇前移速度快幾個(gè) 數(shù)量級(jí)），1 8 00疇不產(chǎn)生應(yīng)力（因自發(fā)極化反平行） ，一般需耗較大電場(chǎng)能。 9 0。疇：對(duì)于9 0。疇的“轉(zhuǎn)向”雖然也產(chǎn)生針狀電疇，但是主要是通過9 00疇的側(cè)向運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)。但因晶軸的長縮方向不一致， 而產(chǎn)生應(yīng)力并引起近鄰晶胞承受壓力。 為什么鐵電單晶剩余極化值比鐵電陶瓷高。 實(shí)際的鐵電體中，必然同時(shí)存在9 00疇和1 8 0°疇，并且相互影響，相互牽制。尤其多晶陶瓷中雜質(zhì)，缺

20、陷，晶粒間界，空間電荷 的存在將給電疇的轉(zhuǎn)向帶來電的或機(jī)械應(yīng)力方面的影響，故鐵電陶瓷在外電場(chǎng)作用下的定向移動(dòng)率，通常比鐵電單晶的定向率低的多 壓電體產(chǎn)生壓電效應(yīng)的機(jī)制是什么 ，請(qǐng)簡要畫出壓電效應(yīng)的機(jī)理示意圖。 因?yàn)闄C(jī)械作用（應(yīng)力與應(yīng)變）引起了晶體介質(zhì)的極化，從而導(dǎo)致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷。 壓電效⑶利LF,小意圖 綜合題 引起電介質(zhì)擊穿的形式及其對(duì)應(yīng)物理機(jī)制。 擊穿形式：1 ）電擊穿 是一電過程，僅有電子參與。過程：強(qiáng)電場(chǎng)作用下，少數(shù)能量高的 自由電子”，沿反電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)，形成電 流（漏電流），其運(yùn)動(dòng)過程中不斷碰撞介質(zhì)內(nèi)的離子，并將其部分能量傳遞給離子。當(dāng)外電壓

21、足夠高時(shí)， 自由電子”速度超過某一臨界 值，就使被撞擊的離子電離出一些新電子， 即成為 次級(jí)電子”，原自由電子與次級(jí)電子又從電場(chǎng)中獲得能量而加速， 又撞擊出三級(jí)電子, 這樣連鎖反應(yīng)，造成大量自由電子，形成 電子潮”，使貫串介質(zhì)的電流迅速增大，導(dǎo)致介質(zhì)擊穿。 2）熱擊穿 絕緣材料在電場(chǎng)作用下出現(xiàn)各種消耗，部分電能轉(zhuǎn)換為熱能，外電壓足夠高時(shí)，產(chǎn)生的熱量大于散發(fā)熱量，溫度升高，產(chǎn) 生熱量進(jìn)一步增加，這樣惡性循環(huán)，使材料不斷升溫，超過一定限度，介質(zhì)被燒裂，熔融等，喪失絕緣能力，稱介質(zhì)的 熱擊穿”。 3）化學(xué)擊穿 長期運(yùn)行在高溫、潮濕、高壓或腐蝕性氣體環(huán)境中的絕緣材料，內(nèi)部發(fā)生電解、腐蝕、氧化、

22、還原、氣孔中氣體電離等 不可逆的化學(xué)過程，經(jīng)一定時(shí)間，材料老化，喪失絕緣性能，導(dǎo)致?lián)舸?。如氧化物還原出金屬離子。 超導(dǎo)現(xiàn)象的物理機(jī)制是什么。 e2結(jié)成了電子對(duì)，稱為庫柏 Emax 0.4 m, Eg max 3. 1eV min hC E 0.7 m, E . 1. 8ev min g min e max 超導(dǎo)現(xiàn)象產(chǎn)生的原因是超導(dǎo)體中的電子在超導(dǎo)態(tài)時(shí)， 電子間存在著特殊的吸引力， 而不是正常態(tài)時(shí)的靜電斥力。 這種吸引力使電子雙雙 結(jié)成電子對(duì)。它是超導(dǎo)態(tài)電子與晶格點(diǎn)陣間相互作用產(chǎn)生的結(jié)果。使動(dòng)量和自旋方向相反的兩個(gè)電子 el 電子對(duì) 請(qǐng)闡明P209頁圖4.19的物理特征。

23、 、可見光中波長最短的是紫光，波長最長的是紅光： 、所以，Eg<1.8eV的半導(dǎo)體材料，是不透明的，因?yàn)樗锌梢姽舛伎梢酝ㄟ^激發(fā)價(jià)帶電子向?qū)мD(zhuǎn)移而被吸收。 、Eg=1.8 3.1的非金屬材料，是帶色透明的，因?yàn)橹挥胁糠挚梢姽馔ㄟ^激發(fā)價(jià)帶電子向?qū)мD(zhuǎn)移而被材料吸收。 鐵磁性物質(zhì)產(chǎn)生鐵磁性的充分條件及自發(fā)磁化的物理機(jī)制。 鐵磁性產(chǎn)生的充分條件：原子內(nèi)部要有未填滿的電子殼層（或說存在固有磁矩） ，且A具有較大的正值（或說可發(fā)生自發(fā)磁化） 。前者是 指原子的本征磁矩，后者指的是要有一定的晶體點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。機(jī)理：據(jù)鍵合理論，原子相互接近形成分子時(shí)，電子云要相互重疊，電子要 相互交換位置。對(duì)過

24、渡族金屬，原子的 3d與4s態(tài)能量接近，它們電子云重疊時(shí)引起了 3d、4s態(tài)電子的交換。交換所產(chǎn)生的靜電作用 Acos 力稱為交換力，交換力的作用迫使相鄰原子的自旋磁矩產(chǎn)生有序的排列。因交換作用而產(chǎn)生的附加能量稱為交換能: 金屬一半導(dǎo)體接觸時(shí)，請(qǐng)基于逸出功大小闡述接觸電效應(yīng)。EC 假定金屬的逸出功 （（M大于半導(dǎo)體的逸出功 。S ,當(dāng)形成M蜘時(shí)，半導(dǎo)體中的電子會(huì)向金屬中擴(kuò)散，使金屬表面帶負(fù)電，半導(dǎo)體表面 帶正電，能帶發(fā)生移動(dòng)，形成新的費(fèi) M能而達(dá)到平衡，不在有靜電子的流動(dòng)，形成了接觸電位差， VMS = （（）M - 。S）/e. 并在接觸界 面出現(xiàn)一個(gè)由半導(dǎo)體指向金屬的內(nèi)電場(chǎng)，阻礙載

25、流子的繼續(xù)擴(kuò)散。也形成了耗盡層，能帶向上彎曲，在金屬與半導(dǎo)體兩側(cè)形成勢(shì)壘高度 稍有不同的肖特基勢(shì)壘。這種 MS結(jié)具有整流作用。當(dāng) （（M <。S時(shí)，電子將有金屬擴(kuò)散流向半導(dǎo)體，在半導(dǎo)體一側(cè)形成堆積層，這個(gè) 是高導(dǎo)電區(qū)，成為反阻擋層（黑板圖示） 。能帶向下彎曲，成為歐姆結(jié)。通常半導(dǎo)體器件采用金屬電極時(shí)就需要良好的歐姆接觸。 退磁的方法有哪些，同時(shí)請(qǐng)說明每一種方法退磁機(jī)制。 磁滯回線的起點(diǎn)不是飽和點(diǎn)，而在飽和點(diǎn)以下時(shí)， H減小時(shí)，Mr和Hc減小，即磁滯回線變得短而窄，若施加的交變磁場(chǎng)幅值 H趨于0 時(shí)，則回線將成為趨于坐標(biāo)原點(diǎn)的螺線，直至交變磁場(chǎng)的 H =0,鐵磁體將完全退磁。 另外的

26、方法：（1）加熱法（2）敲擊法（3）反向加磁場(chǎng)法 PN結(jié)的發(fā)光機(jī)理是什么？ 如果我們?cè)O(shè)法使一塊完整的半導(dǎo)體一邊是 N型，而另一邊是P型，則在接合處形成 P-N結(jié)。未加電場(chǎng)時(shí)，由于電子和空穴的擴(kuò)散作用， 在P—N結(jié)的交界面兩側(cè)形成空間電荷區(qū)，生產(chǎn)自建場(chǎng)，其電場(chǎng)方向自 N區(qū)指向P區(qū)。引起漂移運(yùn)動(dòng)，當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到熱平 衡時(shí)，P區(qū)和N區(qū)的費(fèi)M能級(jí)必然達(dá)到同一水平。 這時(shí)，在P區(qū)和N區(qū)分別出現(xiàn)P型簡并區(qū) 和N型簡并區(qū)，P區(qū)的價(jià)帶頂充滿了空穴， N區(qū)的導(dǎo)帶底充滿了電子。在結(jié)區(qū)造成了能帶的 彎曲。自建場(chǎng)的作用，形成了接觸電位差 VD叫做P— N結(jié)的勢(shì)壘高度。P區(qū)所有能級(jí)上的電子都有了附

27、加位能，它等于勢(shì)壘高度 VD乘 以電子電荷e （VDe） 當(dāng)給P-N結(jié)加以正向電壓 V時(shí)，如圖（5-27）所示，原來的自建場(chǎng)將被削弱，勢(shì)壘降低，破壞了原來的平衡，引起多數(shù)載流子流入對(duì) 方，使得兩邊的少數(shù)載流子比平衡時(shí)增加了，這些增加的少數(shù)載流子稱為 非平衡載流子這種現(xiàn)象叫做 載流子注入此時(shí)結(jié)區(qū)的統(tǒng) 一費(fèi)M能級(jí)不復(fù)存在，形成結(jié)區(qū)的兩個(gè)費(fèi) M能級(jí)EF+和EF-,稱為準(zhǔn)費(fèi) M能級(jí)。它們分別描述空穴和電子的分布。在結(jié)區(qū)的一個(gè)很薄的 作用區(qū)，形成了雙簡并能帶結(jié)構(gòu)。 XI I IHP D|1 g 下圖柵壓G的極性和數(shù)值，使 n溝道晶體管分別處于導(dǎo)通或者截止的狀態(tài)，請(qǐng)?jiān)敿?xì)說明控制的過程與原

28、理。 在P型襯底的MO藤統(tǒng)中增加兩個(gè) N型擴(kuò)散區(qū)，分別稱為源區(qū)（S表示）和漏區(qū)（D表示）。通過控制柵壓 G的極性和數(shù)值，可以使 MOS 晶體管分別處于導(dǎo)通或截止的狀態(tài)：源、漏之間的電流將受到柵壓的調(diào)制，這就是 MOS晶體管工作原理的基礎(chǔ)，利用這一性質(zhì)做成的 MO磔成電路是大規(guī)模集成電路中最重要的類型之一。 畫出基于光生伏特效應(yīng)設(shè)計(jì)的太陽能電池吸收光能及產(chǎn)生電能的示意圖，并闡明其運(yùn)作過程。 利用擴(kuò)散摻雜的方法.在P型半導(dǎo)體的表面形成一 個(gè)薄的N型層，在光的照射下，在尸N結(jié)及其附近 .產(chǎn)生大星的電子和空穴對(duì)*在尸N結(jié)附近一個(gè)擴(kuò)散 ?長度內(nèi),電子一空穴對(duì)還沒有復(fù)合就有可能通過擴(kuò) ,散達(dá)

29、到PN結(jié)的強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域（PN結(jié)自建電場(chǎng)）,電 子將運(yùn)動(dòng)到N型區(qū).空穴將運(yùn)動(dòng)到P型區(qū)，使、區(qū) 帶負(fù)電, P區(qū)帶正電,在上下電極產(chǎn)生電壓一一光 :生伏特效應(yīng)口如圖XCH007_024所示口 請(qǐng)闡述鐵電體產(chǎn)生自發(fā)極化的物理機(jī)理。 具有自發(fā)極化的晶體（極性）由于結(jié)構(gòu)內(nèi)正負(fù)電荷中心不相重合而存在固有電矩，當(dāng)晶體溫度變化時(shí)，發(fā)生熱膨脹使晶體的自發(fā)極化的 固有電矩發(fā)生改變， PN結(jié)在正、反向電壓施加作用下的導(dǎo)電過程（做出示意圖輔助解釋） （1）外加正向電壓的情況（PN結(jié)正向注入） （2）外加反向電壓（PN結(jié)的反向抽?。? 介質(zhì)極化的五個(gè)基本形式、概念及基本特點(diǎn)。 1）電子式極化（電子位移極化）

30、：在E作用下，原子外圍的電子云中心相對(duì)于原子核發(fā)生位移， 形成感應(yīng)電矩而使介質(zhì)極化的現(xiàn)象。 形 成很快（10-14?10-16 s）,是彈性可逆的，極化過程不消耗能量。 在所有電介質(zhì)中都存在， 但只存在此種極化的電介質(zhì)只有中性的氣體、 液體和少數(shù)非極性固體。 2）離子式極化（離子位移極化）：離子晶體中，除離子中的電子產(chǎn)生位移極化外，正負(fù)離子也在 E作用下發(fā)生相對(duì)位移而引起的極化。 又分為：a.離子彈性位移極化：在離子鍵構(gòu)成的晶體中，離子間約束力很強(qiáng)，離子位移有限，極化過程很快（ 10-12?10-13s）,不 消耗能量，可逆。 3）偶極子極化（固有電矩的轉(zhuǎn)向極化）：有E時(shí)，偶極子有

31、沿電場(chǎng)方向排列的趨勢(shì)， 而形成宏觀電矩，形成的極化。所需時(shí)間較長（10-2? 10-10S）,不可逆，需消耗能量。 4）空間電荷極化：有些電介質(zhì)中，存在可移動(dòng)的離子，在 E作用下，正負(fù)離子分離所形成的極化。所需時(shí)間最長（ 10-2s）。 闡述BaTiO3單晶在外電場(chǎng)作用下的極化反轉(zhuǎn)過程。 1）、一般在外電場(chǎng)作用下（人工極化） ，180°疇轉(zhuǎn)向比較充分；同時(shí)由于“轉(zhuǎn)向”時(shí)結(jié)構(gòu)畸變小，內(nèi)應(yīng)力小，因而這種轉(zhuǎn)向比較穩(wěn)定。 2）、而90°疇的轉(zhuǎn)向時(shí)不充分的，對(duì) BaTiO3陶瓷，90 °疇只有13%而且，由于轉(zhuǎn)向時(shí)引起較大內(nèi)應(yīng)力，所以這種轉(zhuǎn)向不穩(wěn)定。當(dāng)外 加電場(chǎng)撤去后，則有小部分 900疇電

32、疇偏離極化方向，恢復(fù)原位。 3）、大部分（主要是180°疇）則會(huì)停留在新轉(zhuǎn)向的極化方向上（剩余極化） 。 金屬Fe具有磁性的原因。 順磁體：原子內(nèi)部存在永久磁矩，無外磁場(chǎng)，材料無規(guī)則的熱運(yùn)動(dòng)使得材料沒有磁性，當(dāng)外磁場(chǎng)作用，每個(gè)原子的磁矩比較規(guī)則取向， 物質(zhì)顯示弱磁場(chǎng)，這樣的磁體稱順磁體。 鐵磁體：在較弱的磁場(chǎng)內(nèi)，鐵磁體也能夠獲得強(qiáng)的磁化強(qiáng)度，而且在外磁場(chǎng)移去，材料保留強(qiáng)的磁性。原因是強(qiáng)的內(nèi)部交換作用，材料 內(nèi)部有強(qiáng)的內(nèi)部交換場(chǎng)，原子的磁矩平行取向，在物質(zhì)內(nèi)部形成磁疇，這樣的磁體稱鐵磁體。 金屬熱膨脹：物質(zhì)的體積或長度隨溫度的升高而增大的現(xiàn)象。 內(nèi)耗：對(duì)固體材料內(nèi)在的能量損耗稱為內(nèi)耗

33、。 磁致伸縮效應(yīng)：鐵磁體在磁場(chǎng)中被磁化時(shí)，其形狀和尺寸都會(huì)發(fā)生變化的現(xiàn)象。 磁疇：指在未加磁場(chǎng)時(shí)鐵磁體內(nèi)部已經(jīng)磁化到飽和狀態(tài)的小區(qū)域。 軟磁材料：軟鐵被磁化后，磁性容易消失，稱為軟磁材料。 亞鐵磁體：磁體中存在大小不等反平行的自旋磁矩，磁矩大小部分抵消，因而磁體仍然可以自發(fā)磁化，類似于鐵磁體。這種磁體稱為亞 鐵磁體。 磁疇結(jié)構(gòu)：磁疇的形狀、尺寸、磁壁的類型與厚度的總稱。 磁滯回線：當(dāng)磁化磁場(chǎng)作周期的變化時(shí)，表示鐵磁體中的磁感應(yīng)強(qiáng)度與磁場(chǎng)強(qiáng)度關(guān)系的一條閉合曲線。 對(duì)于一根具體的導(dǎo)線而言，影響它的導(dǎo)電因素有哪些？ 答：對(duì)于一根具體的導(dǎo)線而言，導(dǎo)電過程分兩部分，包括最外電子脫離正

34、離子實(shí)和之后的在晶格中運(yùn)行，所以，影響導(dǎo)電性包括這兩部 分的影響因素。 （1）從導(dǎo)電定律關(guān)系式中可以看出一個(gè)電子的電荷是固定的數(shù)值， n有效決定于金屬的晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)，而電子自由運(yùn)行時(shí)間或電 子平均自由程則決定于在外電場(chǎng)作用下，電子運(yùn)動(dòng)過程中所受到的散射。 （2）電子在金屬中所受到的散射可用散射系數(shù) 科來表述。科的來源有兩方面，一是溫度引起離子振動(dòng)造成的 門，二是各種缺陷及雜質(zhì) 引起晶格畸變?cè)斐傻乃摹? ==川+ pn 相應(yīng)地電阻為：年訐+ g （3）由溫度造成的晶格動(dòng)畸變和由缺陷造成的晶格靜畸變，兩者都會(huì)引起金屬電阻率增大。 什么是西貝克（Seeback）效應(yīng)？它是哪種材料

35、的基礎(chǔ)？ 答：西貝克效應(yīng)是由于溫差產(chǎn)生的熱電現(xiàn)象，即溫差電動(dòng)勢(shì)效應(yīng) 一一廣義地，在半導(dǎo)體材料中，溫度和電動(dòng)勢(shì)可以互相產(chǎn)生。實(shí)際上是 材料的熱和電之間轉(zhuǎn)化，可以指導(dǎo)人們?cè)跓犭娭g建立相互聯(lián)系，是熱電材料的基礎(chǔ)。 簡述導(dǎo)溫系數(shù)（又稱熱擴(kuò)散系數(shù)）”的物理意義及其量綱？ 答：物理意義：表示溫度變化的速率。 量綱：m2/s。 技術(shù)磁化過程分為哪幾個(gè)階段？各個(gè)技術(shù)磁化階段的特點(diǎn)是什么？ 答：第一部分（OA是可逆磁化過程：可逆是指磁場(chǎng)減少到零時(shí)， M沿原曲線減少到零，在可逆磁化階段，磁化曲線是線性的，沒有剩 磁和磁滯。在金屬軟磁材料中，此階段以可逆壁移為主。 第二部分（AB）是不可逆磁化階

36、段：此階段內(nèi)， M隨磁化場(chǎng)急劇地增加， M與H曲線不再是線性。此階段中，若把磁場(chǎng)減少到零， M不 再沿原曲線減少到零，而出現(xiàn)剩磁，這種現(xiàn)象成為磁滯，巴克豪森指出，這一階段由許多 M的跳躍性變化組成，是疇壁的不可逆跳躍引 起的。 第三部分（BQ是磁化矢量的轉(zhuǎn)動(dòng)過程：第二階段結(jié)束后，疇壁消失，整個(gè)鐵磁體成為一個(gè)單疇體，但其內(nèi)部磁化強(qiáng)度方向還與外磁場(chǎng) 方向不一致。在這一階段內(nèi)隨磁化場(chǎng)進(jìn)一步增大，磁矩逐漸轉(zhuǎn)動(dòng)到與外磁場(chǎng)一致的方向，當(dāng)磁化到 S點(diǎn)時(shí)，磁體已磁化到技術(shù)飽和，這 時(shí)的磁化強(qiáng)度稱飽和磁化強(qiáng)度 Ms= 第四部分自C點(diǎn)以后，M-H曲線已近似于水平線，而 M-H曲線大體上成為直線，自 C

37、點(diǎn)繼續(xù)增大外磁，Ms還稍有增加，這一過程稱為順 磁磁化過程。 來源于相鄰原子中電子 向平行排列，即自發(fā)磁化 不一致，所以大塊磁體對(duì) 價(jià)電子（最外層電子）是 自由運(yùn)動(dòng)一樣，故可以把 分子場(chǎng)的本質(zhì)是什么？在鐵磁體中起什么作用？ 答：分子場(chǎng)的本質(zhì)：分子場(chǎng)的性質(zhì)不是磁場(chǎng)，量子力學(xué)告訴我們，分子場(chǎng) 間的交換作用，它導(dǎo)致了磁有序。從本質(zhì)上講，這是屬于靜電作用。 在鐵磁體中的作用： 鐵磁物質(zhì)內(nèi)部存在很強(qiáng)的 “分子場(chǎng)”，它使原子磁矩同 到飽和；鐵磁體的自發(fā)磁化分成若干磁疇，由于磁體中各磁疇的磁化方向 外不顯示磁性。 簡述經(jīng)典自由電子氣模型和量子自由電子氣模型的特點(diǎn)？ 答：經(jīng)典自由電子氣模型

38、：金屬（已結(jié)晶的）由原子點(diǎn)陣（晶格）構(gòu)成， 完全自由的，可以在整個(gè)金屬中自由運(yùn)動(dòng)，就像氣體分子能在一個(gè)容器內(nèi) 價(jià)電子看成“自由電子氣”，這些自由電子在晶格中的運(yùn)動(dòng)就像氣體在容器中的運(yùn)動(dòng)一樣（但不能脫離“容器” ，即晶格）。 自由電子的運(yùn)動(dòng)遵循經(jīng)典力學(xué)的運(yùn)動(dòng)規(guī)律，遵循氣體分子運(yùn)動(dòng)論。這些電子在一般情況下（沒有外場(chǎng)的作用下）可沿所有方向運(yùn)動(dòng)，但 在電場(chǎng)作用下由于靜電相互作用，將逆著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)，從而使金屬中產(chǎn)生電流（即：電子的定向運(yùn)動(dòng)） 。 電子與帶正電的離子（由于價(jià)電子脫離原來的原子）的碰撞（也叫散射）妨礙電子的被無限加速，從而形成電阻。 量子自由電子論： 量子自由電子論用量子力學(xué)觀點(diǎn)

39、來研究在金屬的大量原子集合體中的價(jià)電子分布問題。 量子自由電子論的基本觀點(diǎn)是：金屬正離子（離子實(shí)）所形成的勢(shì)場(chǎng)各處都是均價(jià)的；價(jià)電子是共有化的，他們不束縛于某個(gè)原子上， 可以在整個(gè)金屬內(nèi)自由地運(yùn)動(dòng)，電子之間沒有相互作用，電子運(yùn)動(dòng)服從量子力學(xué)原理。 量子自由電子論與經(jīng)典自由電子論的主要區(qū)別在于電子運(yùn)動(dòng)服從量子力學(xué)原理。 簡述非過渡族金屬的電阻 一溫度關(guān)系，并說明原因。 答：理想晶體 溫度對(duì)金屬電阻的影響是由于溫度引起離子晶格熱振動(dòng)造成電子波的散射， 而使電阻率隨溫度的升高而增加。 在絕對(duì)零度下，純凈又無 缺陷的金屬（完整的晶格），其電阻率等于零。隨溫度的升高金屬的電阻率也在增加。

40、 有缺陷的晶體 實(shí)驗(yàn)表明，對(duì)于普遍非過渡金屬 。一般不超過500K,當(dāng)T>2/3 9D時(shí)，線性關(guān)系已足夠正確，即在室溫和更高一些溫度都可寫成： pT= p 0(1+ a T), a為電阻溫度系數(shù)。 在低溫下決定于“電子-電子”散射的電阻可能占優(yōu)勢(shì)，這是由于在此低溫下決定于聲子散射的電阻大大減弱的緣故(低溫下晶格振動(dòng) 大大減弱)，這時(shí)的電阻與溫度的平方成正比，即 P電-電8 /T2,普通非過渡金屬的電阻與溫度的關(guān)系示于右圖。 即: 存在如下關(guān)系: 1- 電一聲 電一聲 電一電 OC OC OC T (T>>0 D) T5 T2 (T<< 0D) (T 殘K)

41、 說明物質(zhì)的抗磁性、 順磁性、鐵磁性、反鐵磁性及亞鐵磁性之間的異同點(diǎn)? 答：在五種磁性物質(zhì)中，只有抗磁性物質(zhì)沒有永久性的離子(或原子)磁矩，其他四種都有永久性的離子(或原子)磁矩，但它們的磁 性行為又不相同。除了磁化率不相同以外，最主要的是它們的磁結(jié)構(gòu)各不相同： (1)順磁性物質(zhì)的原子磁矩混亂取向，處于磁無序狀態(tài)； (2)鐵磁性物質(zhì)由于靜電交換作用，在一定范圍內(nèi)相鄰原子磁矩平行取向； (3)在反鐵磁性物質(zhì)內(nèi)部，相鄰原子磁矩反平行排列，反鐵磁性物質(zhì)僅在某一臨界溫度下存在，此臨界溫度稱為奈耳溫度 TN加熱到 TN以上，反鐵磁性轉(zhuǎn)變?yōu)轫槾判曰蚱渌判裕? (4)亞鐵磁性僅在化合物或

42、合金中存在，它由磁矩大小不同的兩套方向相反的鐵磁性交錯(cuò)排列組成，即 gw出，相同磁性的離子磁矩同 受映破匕 ?看社 Cd 朗；T物腹杷性均原子皚地的美米 向平行排列，而不同磁性的離子磁矩是另一個(gè)相反方向的平行排列。 分析物質(zhì)的抗磁性、順磁性、反鐵磁性及亞鐵磁性與溫度之間的關(guān)系？ 答：(1)抗磁性是由外磁場(chǎng)作用下電子循軌運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的附加磁矩所造成的，與 溫度無關(guān)，或隨溫度變化很小。 (2)根據(jù)順磁磁化率與溫度的關(guān)系， 可以把順磁體分為三類，一是正常順磁體， 其原子磁化率與溫度成反比；二是磁化率與溫度無關(guān)的順磁體；三是存在反鐵 磁體轉(zhuǎn)變的順磁體，當(dāng)溫度高于一定的轉(zhuǎn)變溫度 TN時(shí)，它們

43、和正常順磁體一樣服從局里 -外斯定律，當(dāng)溫度低于 TN時(shí)，它們的原子磁 化率隨著溫度下BI而減小，當(dāng) T- 0K時(shí)，磁化率趨于常數(shù)。 (3)反鐵磁性物質(zhì)的原子磁化率在溫度很高時(shí)很小，隨著溫度逐漸降低，磁化率逐漸增大，溫度降至某一溫度 TN時(shí)，磁化率升至最大 值；再降低溫度，磁化率又減小。 (4 )亞鐵磁性物質(zhì)的原子磁化率隨溫度的升高而逐漸降低。 簡述熱性能的物理本質(zhì)和熱穩(wěn)定性。 答：熱性能的物理本質(zhì)：晶格的熱震動(dòng)即質(zhì)點(diǎn)圍繞平衡位置作微小震動(dòng)。 熱穩(wěn)定性：材料在溫度急劇變化而不被破壞的能力，也被稱為抗熱震性。 導(dǎo)電材料中的載流子有哪些？ 答：電子；離子；空位。 有哪些缺陷均會(huì)使金

44、屬電阻率增加？ 答：空位；位錯(cuò)；間隙原子以及它們的組合。 原子核外電子排布的規(guī)則是什么？ 答：泡里不相容原理；能量最低原理；洪特規(guī)則。 磁疇形成的兩個(gè)條件有哪些？ 答：(1)原子中必須有未填滿電子的內(nèi)層，因而存在未被抵消的自旋磁矩。 (2)相鄰原子間距a與未填滿的內(nèi)電子層半徑 r之比大于3,即a/r >3。 影響金屬材料熱導(dǎo)率的因素？ 答：溫度，原子結(jié)構(gòu)，合金的成分和晶體結(jié)構(gòu)，氣孔率。 影響金屬材料的彈性模量的主要因素？ 答：金屬材料原子結(jié)構(gòu)；金屬的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。 引起金屬內(nèi)耗的因素？ 答： \ 1、有電子殼層參加的原子現(xiàn)象范圍內(nèi)只有兩種類型的力：磁力和靜電力。 ()

45、2、半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)不取決于晶體點(diǎn)陣和組成元素的性質(zhì)，而載流子的有效質(zhì)量則是反應(yīng)能帶結(jié)構(gòu)的重要參量 3、直流電位差計(jì)是比較測(cè)量法測(cè)量電動(dòng)勢(shì)(或電壓 )的一種儀器 4、電阻率和電導(dǎo)率是對(duì)材料成分、組織和結(jié)構(gòu)極敏感的電參數(shù)，能靈敏地反映材料內(nèi)部的微弱變化。 5、鐵磁材料從退磁狀態(tài)被磁化到技術(shù)飽和的過程中存在不可逆過程。 () ,磁滯回線為矩型的材料稱 6、矯頑力很小而磁化率很大的材料稱為“軟磁材料” ，將矯頑力很小而磁化率也小的材料稱為“硬磁材料” 為“矩磁材料”。 （） 7、抗磁體的磁化率或者與溫度無關(guān)，或者隨溫度變化產(chǎn)生大變化。 （） 8、當(dāng)合金融化、凝固以及發(fā)生同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變

46、時(shí)，磁化率不發(fā)生突變。 簡答題 1、位移型鐵電體及其應(yīng)用？ 2、反磁化過程和磁矯頑力的描述？ 3、用外斯假說描述的 鐵磁性的物理本質(zhì)。 三、計(jì)算題 1、固溶體有限溶解度的電阻測(cè)定分析原理為何？已知 時(shí) Mg2Sn的溶解度為 1.5wt%、4000c 為 1.6wt%、4700c 5200c 為 2.0wt%、6000c為 2.85%、6500c為 5.1wt%,完 曲線，并估算5000c時(shí)的溶解度數(shù)值。 四、論述題 為何GaAs在某些方面比硅或錯(cuò)更具優(yōu)越性。 15、簡述簡述電介質(zhì)的四大電極化機(jī)制？ 五、分析題 1、利用右圖分析氣孔率對(duì)材料導(dǎo)系數(shù)及熱傳導(dǎo)的影響， 20、 cu-Mg2Sn 合金中，2000c 為 1.7wt%、 成右圖中 Mg2Sn的溶解度 19、舉例說明圖為金屬粉 點(diǎn)說明什么。 末導(dǎo)熱率與氣孔率的關(guān)系曲線。 粉末銀粉和熱壓銀粉的實(shí)驗(yàn)