元器件鑒定檢驗工作程序與常用可靠性試驗bgbr

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1、Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,*,單擊此處編輯母版標題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,元器件鑒定檢驗工作程序和常用可靠性試驗方法介紹,主要內(nèi)容,鑒定檢驗基本流程,直接檢驗,監(jiān)督檢驗,二次檢驗,常用可靠性檢驗方法介紹,一、鑒定檢驗基本流程,直接檢驗,制定,檢驗,計劃,編寫,檢驗,綱要,準備,申請,受理,送樣,檢驗,出具,報告,檢驗,結(jié)束,二次檢驗,不合格

2、,直接檢驗,直接檢驗申請資料:,協(xié)議書,檢驗申請單,關(guān)鍵原材料清單,產(chǎn)品實物照片(正面、側(cè)面、背面(,3,張),),產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圖,篩選合格的工藝記錄,鑒定檢驗樣品,監(jiān)督檢驗,編寫,檢驗,綱要,檢驗,綱要,報批,準備,申請,受理,檢驗,實施,出具,報告,檢驗,結(jié)束,二次檢驗,不合格,監(jiān)督檢驗,協(xié)議書,軍用電子元器件產(chǎn)品鑒定檢驗申請表,檢驗綱要和檢驗流程卡,產(chǎn)品實物照片,3,張(正面、背面、側(cè)面全貌和標志要清晰),產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圖,批次的工藝和篩選記錄,鑒定檢驗日程安排表,封存的樣品母體及專用工裝夾具,申請監(jiān)督檢驗所需資料:,現(xiàn)場檢驗的流程,首次,會議,日程,計劃,抽樣,現(xiàn)場檢驗,外協(xié)試驗,檢驗,記錄,整

3、理,末次,會議,監(jiān)督檢驗,檢驗綱要,樣品對照表,檢驗流程卡,檢驗記錄(包括外協(xié)),檢測儀器計量證書(包括外協(xié)),關(guān)鍵原材料清單,首末次會議記錄,保密協(xié)議,監(jiān)督檢驗結(jié)束后交付的資料,二次檢驗,用戶參與二次檢驗方案,簽訂檢驗服務(wù)合同,結(jié)果,不合格,申請二次檢驗,整改:,失效分析報告,糾正措施報告,驗證試驗報告,單項加倍加嚴、,單組加倍加嚴,全項,新鑒定批,完成首次檢測,監(jiān)督檢驗重點要素,鑒定檢驗方案,檢驗實施單位,檢驗方法和流程,使用的儀器設(shè)備清單,檢驗周期,外協(xié)項目,質(zhì)量等級要求,檢驗項目、檢驗順序和檢驗樣品數(shù)量應(yīng)符合詳細規(guī)范中鑒定驗程序的規(guī)定。,檢驗綱要,監(jiān)督檢驗重點要素,鑒定檢驗樣品的抽樣母

4、體,,X,品(一個批次),,X,譜(三個連續(xù)批),一般為鑒定檢驗所需樣品數(shù)的,2,倍,不包含規(guī)定數(shù)量的備份樣品和追加樣品;,不符合上述要求的應(yīng)進行評審,并在檢驗綱要中予以說明;,檢驗樣品由鑒定檢驗機構(gòu)派人到研制方現(xiàn)場準備的母體中隨機抽取,剩余樣品封存。,抽樣,監(jiān)督檢驗重點要素,鑒定檢驗實施單位根據(jù)確認的檢驗綱要編制,檢驗流程卡的內(nèi)容應(yīng)完整,流程清晰正確,具有可操作,性。鑒定檢驗必須嚴格按照檢驗綱要和流程卡的要求進,行。,檢驗流程卡,檢測設(shè)備計量證書,鑒定檢驗機構(gòu)和檢驗實施單位應(yīng)保證檢驗所需的儀器設(shè)備齊全,功能及精度滿足標準要求并計量鑒定合格,檢驗在有效期內(nèi);,監(jiān)督檢驗重點要素,檢驗原始記錄一般

5、包括測試原始記錄及試驗原始記錄,采用統(tǒng)一規(guī)范的格式具體要求如下:,a),檢驗原始記錄要求信息齊全、正確,至少應(yīng)包含:檢驗樣品信息、環(huán)境條件、所用儀器設(shè)備、檢驗項目、詳細具體的試驗測試)方法和條件、技術(shù)要求、檢驗結(jié)果等。,檢驗原始記錄一律用黑色墨水書寫,數(shù)據(jù)清晰,,計算正確并符合修約要求,數(shù)據(jù)及記錄更改符合規(guī)定并蓋章。,c),檢驗原始記錄須相關(guān)試驗、測試、監(jiān)督人員簽名。,d),檢驗原始記錄按檢驗綱要分組順序匯總裝訂成冊,,封面蓋章,不編頁碼。,檢驗記錄,二、常用可靠性試驗方法介紹,常用參考標準,總規(guī)范:,GJB597A,96,半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范,GJB33A,97,半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范,SJ2

6、0642-97,半導(dǎo)體光電模塊總規(guī)范,實驗方法,GJB128A-97,半導(dǎo)體分立器件試驗方法,GJB548B,2005,微電子試驗方法和程序,可靠性試驗的目的,目的,測試元器件在規(guī)定的時間內(nèi)和規(guī)定的條件下,完,成規(guī)定功能的能力,篩選,(批次全檢),質(zhì)量一致性檢驗:,(全檢 或抽檢),A,組:電參數(shù)測試(每批),B,組:機械、環(huán)境試驗(每批),C,組:與芯片有關(guān)的檢驗(周期),D,組:與封裝有關(guān)的檢驗(周期),篩選,(GJB597A-96),內(nèi)部目檢,溫度循環(huán)(或熱沖擊),恒定加速度,粒子碰撞噪聲(,PIND,),編序列號,中間電參數(shù)測試,老煉,電參數(shù)測試,(規(guī)定,PDA),密封(粗檢漏和細檢漏

7、),最終電測試,外部目檢,可靠性試驗的分類(,GJB548B),耐濕,鹽霧,溫度循環(huán),穩(wěn)定性烘培,熱沖擊,穩(wěn)態(tài)壽命,高溫壽命,低溫壽命,老煉,密封,內(nèi)部水氣含量,電離輻射試驗,物理尺寸,恒定加速度,可焊性,外部目檢,內(nèi)部目檢,鍵合強度,芯片剪切強度,隨機振動,掃頻振動,機械沖擊,粒子碰撞噪聲,環(huán)境試驗(,34,項),機械試驗(,35,項),可靠性試驗的分類,內(nèi)部目檢及機械檢查,可焊性試驗,耐濕,引線牢固性試驗,鹽霧試驗,芯片剪切強度試驗,掃頻振動,內(nèi)部水氣試驗,內(nèi)部目檢與機械檢驗,輻照試驗,穩(wěn)態(tài)壽命,密封,外部目檢,內(nèi)部目檢(封帽前),老煉,粒子碰撞噪聲,物理尺寸,低氣壓試驗,高溫壽命,低溫壽

8、命,溫度循環(huán),破壞性試驗,非破壞性試驗,環(huán)境試驗,溫度試驗,低溫試驗:,檢驗在規(guī)定的低溫條件下,器件滿足工作或儲存要求的適應(yīng)能力。(低溫工作測試在工作溫度下限溫度做試驗,低溫貯存在貯存溫度下限做試驗)。,高溫試驗:,檢驗在規(guī)定的高溫條件下,器件滿足工作或儲存要求的適應(yīng)能力。(高溫工作測試在工作溫度上限溫度做試驗,高溫貯存在貯存溫度上限做試驗)。,溫度試驗,目的:,測定器件承受極端高溫和極端低溫的能力,以及極端高低溫變化對器件的影響,所需設(shè)備:,高低溫實驗箱,實驗方法:,兩箱法 單箱法,溫度循環(huán),溫度試驗,計時:,轉(zhuǎn)換時間(,1min),樣品從一個極端溫度轉(zhuǎn)移到另一個極端溫度所經(jīng)歷的時間,保持時

9、間(,10min),樣品到達極端溫度(,15min),后,停留的時間,循環(huán)次數(shù):,大于,10,次,中斷處理:,由于電源或設(shè)備故障,允許中斷試驗,但是如果中斷次數(shù),超過規(guī)定的循環(huán)總次數(shù)的,10,時,必須重新開始。,失效判據(jù):,外殼、引線、或封口有無缺陷或損壞,標志是否清晰,以,及其他規(guī)定的參數(shù)是否合格。,溫度循環(huán),溫度試驗,目的:,檢驗電子元器件在遇到溫度劇變時其抵抗和適應(yīng)能力的,試驗。轉(zhuǎn)換時間小于,10s.,判據(jù):,主要檢驗襯底開裂、絕緣體位移、引線焊接、封裝等缺,陷。,注意:,必須在規(guī)定的沖擊溫度上下限溫度點進行規(guī)定的沖擊次,數(shù),屬于非破壞性的檢測,篩選時為,100,檢驗,質(zhì)量一,致性檢測時

10、也可抽樣檢測。在篩選檢測中,不合格品必,須剔除。,熱沖擊試驗:,密封,目的:,確定具有空腔的電子器件封裝的氣密性,密封不良會導(dǎo)致環(huán)境氛侵入器件內(nèi)部引起電性能不穩(wěn)定或腐蝕開路,所需設(shè)備:,氦質(zhì)譜細檢漏(用于檢查,1Pa.cm3/s10-4 Pa.cm3/s,的,漏率),氟油或乙二醇粗檢漏(用于檢查大于,1Pa.cm3/s,的漏率),失效判據(jù):,細檢:,測定漏率,粗檢:,從同一位置出來的一連串氣泡或兩個以上大氣泡,試驗順序:,先細檢 后粗檢,試驗過程需加壓,耐濕,目的:,用加速的方式評估元器件及所用材料在炎熱高濕(典型熱帶環(huán)境)下抗退化效應(yīng)的能力,本實驗可以可靠的指出哪些元器件不可以在熱帶條件下使

11、用。為破壞性試驗。,所需設(shè)備:,溫濕箱,試驗程序,干燥升溫保持降溫升溫保持降溫,循環(huán),10,次,低溫子循環(huán),(,至少,5,次),耐濕,濕度控制:,80,100,試驗時間:,10,天左右,失效判據(jù):,標志脫落、褪色、模糊,鍍層腐蝕或封裝零件腐蝕透,引線脫落,折斷或局部分離,因腐蝕導(dǎo)致的引線之間或引線與外殼搭接,輻照試驗:,射線對物質(zhì)的最基本作用是電離作用,電離作用與物質(zhì)從射線吸收的能量有關(guān)對于定量的射線,物質(zhì)質(zhì)量越小,吸收越密集,影響越大。,其關(guān)系式如下:,射線劑量物質(zhì)吸收能量,/,物質(zhì)的質(zhì)量。,輻照試驗:,目的:,試驗時,高能粒子進入器件,使其微觀結(jié)構(gòu)變化,產(chǎn)生附加電荷或電流甚至缺陷,導(dǎo)致器件

12、參數(shù)退化、鎖定、翻轉(zhuǎn)或產(chǎn)生浪涌電流燒壞失效。通過各種輻照效應(yīng)試驗,可確定器件的致命損傷劑量、失效規(guī)律及失效機理,從而在材料、結(jié)構(gòu)、工藝和線路上進行抗輻射的設(shè)計改進。試驗方案要依據(jù)不同的產(chǎn)品和不同的試驗?zāi)康?,選擇輻照的總劑量或劑量率及輻照時間,否則由于輻照過低或過量而得不到尋求的閾值或損壞樣品。,輻照試驗:,中子輻照試驗,在核反應(yīng)堆中進行,測量半導(dǎo)體器件在中子環(huán)境的性能退化的敏感性,是一種破壞性試驗,主要檢測半導(dǎo)體器件關(guān)鍵參數(shù)和中子注入的關(guān)系,總劑量輻照試驗,總劑量輻照試驗采用鈷,60,放射源以穩(wěn)態(tài)形式對器件進行輻照。為破壞性試驗。主要用來判定低劑量率電離輻射對器件的作用。,輻照試驗:,試驗程序

13、和方法:,按規(guī)范要求,選定輻照類型、劑量或劑量率及輻照時間。,記錄試驗前器件相關(guān)電性能參數(shù)。,進行輻照試驗。,測試輻照試驗后器件的相關(guān)電性能參數(shù)。,比對試驗前后器件的相關(guān)電性能參數(shù)值,若值差超過允值為失效。,機械試驗,恒定加速度:,目的:,檢查在規(guī)定的離心加速度作用下的適應(yīng)能力或評定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。為非破壞性檢測,篩選時為,100,檢驗,質(zhì)量一致性檢測時也可抽樣檢測。在篩選檢測中,不合格必須剔除。,所需設(shè)備:,離心機,合格判據(jù):,器件無損壞,標識清楚,其他參數(shù)測試,機械沖擊:,目的:,檢查在規(guī)定的沖擊條件下受到機械沖擊時的適應(yīng)性或評定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。為非破壞性檢測,篩選時為,100,檢驗,質(zhì)量

14、一致性檢測時也可抽樣檢測。在篩選檢測中,不合格必須剔除。有時規(guī)定要求在沖擊中測試,也可按規(guī)定試驗后進行外觀觀察和電測試后決定是否合格。,所需設(shè)備:,沖擊振動臺(提供,500g,30000g,的沖擊脈沖),合格判據(jù):,外殼,引線的損壞,標記的模糊或者其他附加的參數(shù)測試,機械振動試驗,振動疲勞試驗:,檢查器件管殼、引線焊接、管芯鍵合、襯底等是否符合規(guī)定要求。電,子產(chǎn)品易受影響的頻率為,50Hz2000Hz,。長期振動會使器件產(chǎn)生疲勞,失效、引線斷裂和結(jié)構(gòu)損傷等。篩選時為,100,檢驗,質(zhì)量一致性檢,測時也可抽樣檢測。在篩選檢測中,不合格必須剔除。,隨機振動試驗:,考核器件在隨機激勵下抵抗隨機振動的

15、能力。(試樣在隨機激勵下產(chǎn),生隨機振動,由試驗設(shè)備顯示出試樣的響應(yīng)功率譜密度。如果試樣的,響應(yīng)功率譜密度大于規(guī)定的極限值,則試樣不合格。),掃頻振動試驗:,尋找被考核器件的各階固有頻率(也是共振頻率)及在這個頻率段的,耐振能力。(有時規(guī)定要求在振動中測試,也可按規(guī)定試驗后進行外,觀觀察和電測試后決定是否合格。),鍵合強度試驗:,目的:,檢查器件內(nèi)引線的鍵合是否達到規(guī)定的要求。避免由于鍵合虛接(零克點)和鍵合強度低于規(guī)定要求而導(dǎo)致的失效。,失效分析:,我所主要產(chǎn)品的本試驗失效的器件多為金絲頸縮點、引線損傷導(dǎo)致的不達標或通電熔斷,可采取引線斷面顯微鏡觀察確定是機械損傷(斷面凸凹不平)或電燒熔(斷面為球面)來進行失效分析。對引線從芯片金屬化層(鋁)壓焊點脫落的失效需進行電子探針,X,射線能譜色散分析來確定金鋁固相反應(yīng)形成的中間化合物成份和失效原因。對直接連金屬化層從芯片上脫落的失效則需從金屬化鍍膜工藝去分析失效原因。,芯片剪切強度試驗:,目的:,檢查芯片粘附在熱沉或管座上所使用材料和工藝的完整,性。粘附不良(有空洞等)會導(dǎo)致散熱不良、導(dǎo)通電阻,超標、電特性退化,甚至芯片脫落引起器件開路。,芯片剪切強度不合格具有批次性。是破壞性的抽樣檢驗。對本試驗失效的器件可用顯微鏡或掃描電鏡對剪切解剖面進行形貌觀察和失效分析。,

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